|
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
- SI3424CDV-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,602 €
-
344 755Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI3424CDV-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
|
|
344 755Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
- SI3437DV-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,21 €
-
114 641Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI3437DV-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
|
|
114 641Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ3985EV-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,03 €
-
109 987Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3985EV-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
109 987Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 5.2A
- SI3433CDV-T1-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,705 €
-
102 743Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI3433CDV-T1-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 5.2A
|
|
102 743Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Array for 4 Data Line ESD
- NUP4302MR6T1G
- onsemi
-
1:
1,55 €
-
28 813Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NUP4302MR6T1G
|
onsemi
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Array for 4 Data Line ESD
|
|
28 813Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 4.7A
- SI3443CDV-T1-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,817 €
-
135 120Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI3443CDV-T1-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 4.7A
|
|
135 120Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.1A
- SI3483CDV-T1-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,41 €
-
36 532Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI3483CDV-T1-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.1A
|
|
36 532Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL308CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,92 €
-
66 971Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSL308CH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
66 971Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
- SQ3989EV-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,877 €
-
166 455Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3989EV-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
|
|
166 455Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas OVER CURRENT PROTECTION
- NCP380LSNAJAAT1G
- onsemi
-
1:
0,611 €
-
67 047Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP380LSNAJAAT1G
|
onsemi
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas OVER CURRENT PROTECTION
|
|
67 047Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Analoginių jungiklių integriniai grandynai SPDT 1pC; 100pA TSOP-6
- DG9431EDV-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,95 €
-
5 393Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-DG9431EDV-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Analoginių jungiklių integriniai grandynai SPDT 1pC; 100pA TSOP-6
|
|
5 393Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Operaciniai Stiprintuvai - Optiniai Stiprintuvai 0.9-7V Sngl Rail to Rail Extended Temp
- NCV2002SN2T1G
- onsemi
-
1:
0,602 €
-
15 815Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCV2002SN2T1G
|
onsemi
|
Operaciniai Stiprintuvai - Optiniai Stiprintuvai 0.9-7V Sngl Rail to Rail Extended Temp
|
|
15 815Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
- SQ3481CEV-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,817 €
-
2 697Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3481CEV-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2 697Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQ3419AEEV-T1_BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,08 €
-
54 593Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3419AEEV-T1_BE3
Netinkama eksploatuoti
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
54 593Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Prie plokštės tvirtinami Holo efekto / magnetiniai jutikliai POSITION SENS ATV
- TLE493DW2B6A2HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,43 €
-
2 943Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TLE493DW2B6A2HTS
|
Infineon Technologies
|
Prie plokštės tvirtinami Holo efekto / magnetiniai jutikliai POSITION SENS ATV
|
|
2 943Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Buferiai ir valdikliai 74LVC1GX04GV-Q100/SOT457/SC-74
- 74LVC1GX04GV-Q100H
- Nexperia
-
1:
0,611 €
-
15 856Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-4LVC1GX04GVQ100H
|
Nexperia
|
Buferiai ir valdikliai 74LVC1GX04GV-Q100/SOT457/SC-74
|
|
15 856Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs TSOP6 N-CH 20V 6.2A
- SI3460DDV-T1-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,611 €
-
76 449Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI3460DDV-T1-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs TSOP6 N-CH 20V 6.2A
|
|
76 449Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
- SQ3987EV-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,998 €
-
33 271Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3987EV-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
|
|
33 271Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Galios Koeficiento Korekcija - PFC ENHANCED HIGH EFFICIENCY
- NCP1622DCCSNT1G
- onsemi
-
1:
0,464 €
-
4 572Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP1622DCCSNT1G
|
onsemi
|
Galios Koeficiento Korekcija - PFC ENHANCED HIGH EFFICIENCY
|
|
4 572Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V 3.5A P-Channel
- NTGS3455T1G
- onsemi
-
1:
0,722 €
-
72 160Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTGS3455T1G
|
onsemi
|
MOSFETs 30V 3.5A P-Channel
|
|
72 160Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL207SPH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,08 €
-
50 434Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSL207SPH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
50 434Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
- SI3473CDV-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,998 €
-
14 642Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI3473CDV-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
|
|
14 642Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Galios Koeficiento Korekcija - PFC ENHANCED EFFICIENCY
- NCP1622BECSNT1G
- onsemi
-
1:
0,636 €
-
8 377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP1622BECSNT1G
|
onsemi
|
Galios Koeficiento Korekcija - PFC ENHANCED EFFICIENCY
|
|
8 377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
- SSM6N815R,LF
- Toshiba
-
1:
0,688 €
-
70 455Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-SSM6N815RLF
|
Toshiba
|
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
|
|
70 455Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT PBSS5440D/SOT457/SC-74
- PBSS5440D,115
- Nexperia
-
1:
0,731 €
-
17 188Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-PBSS5440D115
|
Nexperia
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT PBSS5440D/SOT457/SC-74
|
|
17 188Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|