|
|
MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
- IXTQ60N20T
- IXYS
-
1:
6,37 €
-
274Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ60N20T
|
IXYS
|
MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
|
|
274Prieinamumas
|
|
|
6,37 €
|
|
|
4,27 €
|
|
|
3,42 €
|
|
|
2,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
- IXTQ75N10P
- IXYS
-
1:
6,43 €
-
148Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ75N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
|
|
148Prieinamumas
|
|
|
6,43 €
|
|
|
3,70 €
|
|
|
3,09 €
|
|
|
2,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
- IXTQ96N20P
- IXYS
-
1:
10,42 €
-
128Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ96N20P
|
IXYS
|
MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
|
|
128Prieinamumas
|
|
|
10,42 €
|
|
|
6,24 €
|
|
|
6,23 €
|
|
|
5,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
- TTC0002(Q)
- Toshiba
-
1:
3,99 €
-
28Prieinamumas
-
500Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TTC0002Q
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
|
|
28Prieinamumas
500Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
28 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
200 Tikėtina 2026-08-17
300 Tikėtina 2026-12-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
22 Savaičių
|
|
|
3,99 €
|
|
|
2,63 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Lygintuvai Dual ultrafast power diode
- BYV415K-600PQ
- WeEn Semiconductors
-
1:
2,81 €
-
474Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-BYV415K-600P
|
WeEn Semiconductors
|
Lygintuvai Dual ultrafast power diode
|
|
474Prieinamumas
|
|
|
2,81 €
|
|
|
1,83 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
1,09 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,04 €
|
|
|
1,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN TO-3P POWER TRANS
- NJW44H11G
- onsemi
-
1:
3,19 €
-
76Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW44H11G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN TO-3P POWER TRANS
|
|
76Prieinamumas
|
|
|
3,19 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
- IXFQ72N30X3
- IXYS
-
1:
11,96 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ72N30X3
|
IXYS
|
MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
|
|
4Prieinamumas
|
|
|
11,96 €
|
|
|
7,09 €
|
|
|
6,57 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
- IXTQ120N15P
- IXYS
-
1:
10,61 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ120N15P
|
IXYS
|
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
|
|
12Prieinamumas
|
|
|
10,61 €
|
|
|
7,68 €
|
|
|
5,77 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 230V 15A
- 2SC5200-O(Q)
- Toshiba
-
1:
4,36 €
-
25 348Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SC5200-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 230V 15A
|
|
25 348Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 448 Laukiama
11 500 Tikėtina 2026-09-14
12 400 Tikėtina 2027-01-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių
|
|
|
4,36 €
|
|
|
2,86 €
|
|
|
2,13 €
|
|
|
1,78 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3003PT C0
- Taiwan Semiconductor
-
1:
2,77 €
-
319Prieinamumas
-
Patikrinkite Būseną su Gamykla
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER3003PTC0
Patikrinkite Būseną su Gamykla
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
319Prieinamumas
|
|
|
2,77 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,25 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,04 €
|
|
|
0,955 €
|
|
|
0,903 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
- IXTQ10P50P
- IXYS
-
1:
8,81 €
-
537Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ10P50P
|
IXYS
|
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
|
|
537Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
237 Tikėtina 2027-02-15
300 Tikėtina 2027-02-22
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių
|
|
|
8,81 €
|
|
|
5,19 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
4,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 40 Amps 500V
- IXTQ40N50L2
- IXYS
-
1:
20,08 €
-
300Tikėtina 2026-12-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ40N50L2
|
IXYS
|
MOSFETs 40 Amps 500V
|
|
300Tikėtina 2026-12-02
|
|
|
20,08 €
|
|
|
12,72 €
|
|
|
12,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 230V 15A
- 2SC5359-O(Q)
- Toshiba
-
1:
4,04 €
-
1 600Tikėtina 2026-11-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SC5359-O(Q)
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 230V 15A
|
|
1 600Tikėtina 2026-11-16
|
|
|
4,04 €
|
|
|
2,67 €
|
|
|
1,88 €
|
|
|
1,66 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
- NJW3281G
- onsemi
-
1:
4,30 €
-
2 991Tikėtina 2026-11-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW3281G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
|
|
2 991Tikėtina 2026-11-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 230V 15A
- 2SA1943-O(Q)
- Toshiba
-
1:
3,66 €
-
4 671Tikėtina 2026-09-14
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SA1943-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 230V 15A
|
|
4 671Tikėtina 2026-09-14
|
|
|
3,66 €
|
|
|
2,42 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
1,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
- CMA50E1600QB
- IXYS
-
1:
7,66 €
-
26Tikėtina 2027-03-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-CMA50E1600QB
|
IXYS
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
|
|
26Tikėtina 2027-03-19
|
|
|
7,66 €
|
|
|
4,80 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
4,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V
- DPG60IM400QB
- IXYS
-
1:
7,25 €
-
540Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG60IM400QB
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V
|
|
540Gamyklos turimos atsargos
|
|
|
7,25 €
|
|
|
4,56 €
|
|
|
4,02 €
|
|
|
3,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ22N60P3
- IXYS
-
300:
5,66 €
-
840Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ22N60P3
|
IXYS
|
MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
840Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ28N60P3
- IXYS
-
300:
4,34 €
-
420Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ28N60P3
|
IXYS
|
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
420Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ50N60P3
- IXYS
-
300:
6,23 €
-
420Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ50N60P3
|
IXYS
|
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
420Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ60N50P3
- IXYS
-
1:
10,83 €
-
780Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ60N50P3
|
IXYS
|
MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
780Gamyklos turimos atsargos
|
|
|
10,83 €
|
|
|
6,79 €
|
|
|
6,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
- IXTQ120N20P
- IXYS
-
1:
13,85 €
-
330Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ120N20P
|
IXYS
|
MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
|
|
330Gamyklos turimos atsargos
|
|
|
13,85 €
|
|
|
8,49 €
|
|
|
8,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
- IXTQ140N10P
- IXYS
-
300:
5,67 €
-
630Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ140N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
|
|
630Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
- IXTQ16N50P
- IXYS
-
300:
3,05 €
-
390Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ16N50P
|
IXYS
|
MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
|
|
390Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
- IXTQ180N10T
- IXYS
-
300:
3,68 €
-
1 410Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ180N10T
|
IXYS
|
MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
|
|
1 410Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
Lietuva
