|
|
SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
- SCT3105KRC14
- ROHM Semiconductor
-
1:
19,71 €
-
87Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3105KRC14
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
|
|
87Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
- IKY150N75EH7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,12 €
-
143Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IKY150N75EH7XKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
IGBT High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
|
|
143Prieinamumas
|
|
|
9,12 €
|
|
|
6,28 €
|
|
|
4,58 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
- IMZC140R019M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,43 €
-
136Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC140R019M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
|
|
136Prieinamumas
|
|
|
15,43 €
|
|
|
8,85 €
|
|
|
8,26 €
|
|
|
8,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
- IMZC140R024M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,35 €
-
126Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-06-17
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC140R024M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
|
|
126Prieinamumas
240Tikėtina 2027-06-17
|
|
|
13,35 €
|
|
|
7,54 €
|
|
|
7,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
JFETs UF3N120007K4S
- UF3N120007K4S
- onsemi
-
1:
55,24 €
-
1 099Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UF3N120007K4S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs UF3N120007K4S
|
|
1 099Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 112
|
|
|
|
|
JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
- UG4SC075009K4S
- onsemi
-
1:
20,78 €
-
540Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UG4SC075009K4S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
|
|
540Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 54
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC015SMA070B4N
- Microchip Technology
-
1:
18,27 €
-
164Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC015SMA070B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
164Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,86 €
-
218Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R011M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
218Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R015M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,55 €
-
240Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R015M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Prieinamumas
|
|
|
13,55 €
|
|
|
7,66 €
|
|
|
7,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
22,90 €
-
352Prieinamumas
-
480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
|
|
352Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
352 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,96 €
-
493Prieinamumas
-
240Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R017M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
493Prieinamumas
240Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,94 €
-
1 365Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R022M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
1 365Prieinamumas
|
|
|
15,94 €
|
|
|
10,97 €
|
|
|
9,48 €
|
|
|
8,83 €
|
|
|
8,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,78 €
-
616Prieinamumas
-
240Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
|
|
616Prieinamumas
240Pagal užsakymą
|
|
|
10,78 €
|
|
|
5,96 €
|
|
|
5,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,74 €
-
677Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R053M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
|
|
677Prieinamumas
|
|
|
8,74 €
|
|
|
4,72 €
|
|
|
4,36 €
|
|
|
4,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,08 €
-
440Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R078M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
440Prieinamumas
|
|
|
8,08 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
4,05 €
|
|
|
3,66 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
- IXSH20N120L2KHV
- IXYS
-
1:
6,40 €
-
542Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH20N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
|
|
542Prieinamumas
|
|
|
6,40 €
|
|
|
3,43 €
|
|
|
2,80 €
|
|
|
2,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
450
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
- IXSH40N65L2KHV
- IXYS
-
1:
7,79 €
-
550Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N65L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
|
|
550Prieinamumas
|
|
|
7,79 €
|
|
|
4,26 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
- IXSH60N65L2KHV
- IXYS
-
1:
9,36 €
-
550Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH60N65L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
|
|
550Prieinamumas
|
|
|
9,36 €
|
|
|
6,45 €
|
|
|
4,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
- RGA80TRX2EHRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
12,16 €
-
894Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RGA80TRX2EHRC15
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
|
|
894Prieinamumas
|
|
|
12,16 €
|
|
|
7,38 €
|
|
|
6,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
- RGA80TRX2HRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,00 €
-
408Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RGA80TRX2HRC15
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
|
|
408Prieinamumas
|
|
|
10,00 €
|
|
|
5,97 €
|
|
|
5,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
JFETs UJ4N075005K4S
- UJ4N075005K4S
- onsemi
-
1:
40,57 €
-
326Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UJ4N075005K4S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs UJ4N075005K4S
|
|
326Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 35
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
- NTH4L032N065M3S
- onsemi
-
1:
8,92 €
-
604Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L032N065M3S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
|
|
604Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
- NVH4L023N065M3S
- onsemi
-
1:
18,51 €
-
400Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L023N065M3S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
|
|
400Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
- NVH4L032N065M3S
- onsemi
-
1:
13,16 €
-
396Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L032N065M3S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
|
|
396Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
- AAR013V120H3
- APC-E
-
1:
24,82 €
-
290Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-AAR013V120H3
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
|
|
290Prieinamumas
|
|
|
24,82 €
|
|
|
17,37 €
|
|
|
16,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
