Die Puslaidininkiai

Rezultatai: 509
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

Analog Devices RF Stiprintuvas Driver amp, 18-40GHz
4Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

Qorvo GaN FET DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Analog Devices RF Stiprintuvas GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
4Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

Analog Devices RF Stiprintuvas 2 GHz to 30 GHz, GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier
4Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2 139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai 1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10
Analog Devices HMC-ALH140-SX
Analog Devices RF Stiprintuvas GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
2Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

Qorvo CMD242
Qorvo RF Stiprintuvas DC-40 GHz Distributed Amplifier DIE
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Analog Devices HMC-ALH476-SX
Analog Devices RF Stiprintuvas GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz 8Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

MACOM MA4SW410
MACOM RD jungiklių integriniai grandynai 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz 200Prieinamumas
Min.: 50
Daugkart.: 50

Qorvo TGL4201-06
Qorvo Ateniuatoriai DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB 200Prieinamumas
Min.: 200
Daugkart.: 200

Qorvo TGL4201-10
Qorvo Ateniuatoriai DC-50 GHz Fixed Atten-10dB 200Prieinamumas
Min.: 200
Daugkart.: 200

Analog Devices HMC553AG-SX
Analog Devices RD maišiklis 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer 4Prieinamumas
Min.: 2
Daugkart.: 2

Qorvo RF Stiprintuvas 6-18GHz 1W driver Amp 100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

Qorvo RF Stiprintuvas 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Texas Instruments OPA855YR
Texas Instruments Operaciniai Stiprintuvai - Optiniai Stiprintuvai 8 GHz Gain Bandwidth Product Decompensa 2 876Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments OPA858YR
Texas Instruments Operaciniai Stiprintuvai - Optiniai Stiprintuvai 5.5 GHz Gain Bandwid th Product Decompen 2 760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments OPA859YR
Texas Instruments Operaciniai Stiprintuvai - Optiniai Stiprintuvai 1.8 GHz Unity-Gain B andwidth 3.3 nV/vHz 2 993Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC Lazerio tvarkyklės IC LASER DRVR 80V 15A 2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 6-18GHz 0.5W driver Amp 100Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100