|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
- VS-100BGQ100HN4
- Vishay
-
1:
7,23 €
-
1 867Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ100HN4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
|
|
1 867Prieinamumas
|
|
|
7,23 €
|
|
|
5,09 €
|
|
|
3,45 €
|
|
|
3,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-175BGQ045-N4
- Vishay
-
1:
7,45 €
-
298Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-175BGQ045-N4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
298Prieinamumas
|
|
|
7,45 €
|
|
|
5,25 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
3,59 €
|
|
|
3,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
- VS-SC200FA120
- Vishay
-
1:
56,15 €
-
156Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SC200FA120
|
Vishay
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
|
|
156Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-100BGQ015-N4
- Vishay Semiconductors
-
1:
6,42 €
-
281Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ015-N4
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
281Prieinamumas
|
|
|
6,42 €
|
|
|
4,21 €
|
|
|
3,10 €
|
|
|
2,75 €
|
|
|
2,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-100BGQ030HN4
- Vishay
-
1:
7,02 €
-
281Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ030HN4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
281Prieinamumas
|
|
|
7,02 €
|
|
|
4,95 €
|
|
|
3,99 €
|
|
|
3,54 €
|
|
|
3,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-100BGQ045HN4
- Vishay
-
1:
7,17 €
-
176Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ045HN4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
176Prieinamumas
|
|
|
7,17 €
|
|
|
5,05 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,62 €
|
|
|
3,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
- FZ3600R17HP4
- Infineon Technologies
-
1:
1 164,97 €
-
20Prieinamumas
-
37Tikėtina 2026-09-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FZ3600R17HP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
|
|
20Prieinamumas
37Tikėtina 2026-09-28
|
|
|
1 164,97 €
|
|
|
1 010,96 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
320,28 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai Freds - POWIRTAB
- VS-EBU15006HN4
- Vishay Semiconductors
-
1:
8,91 €
-
41Prieinamumas
-
375Tikėtina 2026-10-16
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-EBU15006HN4
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai Freds - POWIRTAB
|
|
41Prieinamumas
375Tikėtina 2026-10-16
|
|
|
8,91 €
|
|
|
6,30 €
|
|
|
5,24 €
|
|
|
4,67 €
|
|
|
4,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai 75 Amps 1200V
- MEE75-12DA
- IXYS
-
1:
36,31 €
-
804Prieinamumas
-
288Tikėtina 2026-11-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MEE75-12DA
|
IXYS
|
Diodų moduliai 75 Amps 1200V
|
|
804Prieinamumas
288Tikėtina 2026-11-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Akselerometrai ALTA 900 MHz Industrial - Accelerometer, Advanced Vibration Meter 2, 10' Lead
- MNS2-9-IN-AC-AV2-L10
- Monnit
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
396-MNS2-9INACAV2L10
|
Monnit
|
Akselerometrai ALTA 900 MHz Industrial - Accelerometer, Advanced Vibration Meter 2, 10' Lead
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB008A12GM3T
- Wolfspeed
-
1:
181,60 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB008A12GM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
- CBB032M12FM3
- Wolfspeed
-
1:
83,25 €
-
80Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB032M12FM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
|
|
80Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CBB032M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
86,14 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB032M12FM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CCB021M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
133,85 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CCB021M12FM3T
|
Wolfspeed
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
- IXFN400N15X3
- IXYS
-
1:
47,28 €
-
557Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN400N15X3
|
IXYS
|
MOSFET moduliai MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
|
|
557Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai 500 Amps 2200V
- MDO500-22N1
- IXYS
-
1:
189,17 €
-
147Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MDO500-22N1
|
IXYS
|
Diodų moduliai 500 Amps 2200V
|
|
147Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai Transistor,25W,30MHz,28V
- MRF428
- MACOM
-
1:
332,50 €
-
100Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MRF428
|
MACOM
|
RD dvipoliai tranzistoriai Transistor,25W,30MHz,28V
|
|
100Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai FRED DQ 1200 V 60 A Dual Parallel SOT-227
- APT2X61DQ120J
- Microchip Technology
-
1:
18,60 €
-
1 035Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT2X61DQ120J
|
Microchip Technology
|
Lygintuvai FRED DQ 1200 V 60 A Dual Parallel SOT-227
|
|
1 035Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
25,81 €
-
760Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
MOSFET moduliai N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760Prieinamumas
|
|
|
25,81 €
|
|
|
19,32 €
|
|
|
17,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 650V/145A Ultra Junction X2-Class
- IXFN150N65X2
- IXYS
-
1:
54,74 €
-
862Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN150N65X2
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 650V/145A Ultra Junction X2-Class
|
|
862Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 600V 48A
- IXFN48N60P
- IXYS
-
1:
30,93 €
-
1 615Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN48N60P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 600V 48A
|
|
1 615Prieinamumas
|
|
|
30,93 €
|
|
|
24,05 €
|
|
|
22,50 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
- VS-GT90SA120U
- Vishay Semiconductors
-
1:
36,12 €
-
531Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT90SA120U
|
Vishay Semiconductors
|
IGBT SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
|
|
531Prieinamumas
|
|
|
36,12 €
|
|
|
30,46 €
|
|
|
28,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
