|
|
JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
59,28 €
-
592Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UG3SC120009K4S
|
onsemi
|
JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
|
|
592Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
40,96 €
-
160Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC017SMA120S
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
|
|
160Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
25,34 €
-
399Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
|
|
399Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
10,63 €
-
834Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
834Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
614,08 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
10,35 €
-
417Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
|
onsemi
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
33,59 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
634,59 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
24,77 €
-
31Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
143,77 €
-
42Prieinamumas
-
100Tikėtina 2027-01-14
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1004ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1004
|
|
42Prieinamumas
100Tikėtina 2027-01-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
70,41 €
-
90Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1011ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1011
|
|
90Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
85,31 €
-
90Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1014ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1014
|
|
90Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
32,99 €
-
23Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
|
Igbt Moduliai PM-IGBT-TFS-SOT227
|
|
23Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,26 €
-
882Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIGBG25N120S7ATM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
882Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,40 €
-
473Prieinamumas
-
2 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIGBG15N120S7ATM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
473Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
473 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 000 Tikėtina 2026-10-15
1 000 Tikėtina 2027-02-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
16,41 €
-
1 670Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT44R011M2HXTMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 670Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
64,37 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SF150SA120
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF100SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
51,81 €
-
232Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SF100SA120
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
232Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
115,14 €
-
81Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF06MR12A04MA2AK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
81Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,30 €
-
371Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-11-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDWD25G200C5XKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
|
|
371Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
- IDWD50G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
28,21 €
-
116Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-11-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDWD50G200C5XKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
|
|
116Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,57 €
-
207Prieinamumas
-
1 800Tikėtina 2026-10-22
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R011M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
207Prieinamumas
1 800Tikėtina 2026-10-22
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,06 €
-
1 758Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R015M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 758Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R036M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,13 €
-
1 799Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R036M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 799Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R045M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,07 €
-
1 795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R045M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 795Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|