|
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
- CE3521M4
- CEL
-
1:
3,21 €
-
2 978Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3521M4
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
|
|
2 978Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
20 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
11.9 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
- CE3514M4
- CEL
-
1:
2,56 €
-
3 014Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3514M4
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
|
|
3 014Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
12.2 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
- CE3520K3
- CEL
-
1:
3,65 €
-
2 152Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3520K3
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
|
|
2 152Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
|
|
pHEMT
|
GaAs
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
- CE3514M4-C2
- CEL
-
1:
1,11 €
-
23 423Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3514M4-C2
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
|
|
23 423Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
15 000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
12.2 dB
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
- CE3520K3-C1
- CEL
-
1:
2,00 €
-
13 760Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3520K3-C1
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
|
|
13 760Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10 000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
MICRO-X-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
24 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
13.8 dB
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
- CE7613M4
- CEL
-
1:
1,36 €
-
2 013Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE7613M4
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
|
|
2 013Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
Si
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
14.1 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
- CE7613M4-C2
- CEL
-
1:
1,65 €
-
12 112Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE7613M4-C2
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
|
|
12 112Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
15 000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
|
Si
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
14.1 dB
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
- CE3512K2
- CEL
-
1:
1,89 €
-
4 468Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3512K2
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
|
|
4 468Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
MICRO-X-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
13.7 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
- CE3512K2-C1
- CEL
-
1:
1,46 €
-
11 598Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3512K2-C1
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
|
|
11 598Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10 000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
MICRO-X-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
12 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
13.7 dB
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai For NESG270034-AZ
- NESG270034-EV09-AZ
- CEL
-
1:
171,37 €
-
Ne Sandėlyje Esantys
|
„Mouser“ Dalies Nr.
NESG270034-EV09-AZ
|
CEL
|
RD dvipoliai tranzistoriai For NESG270034-AZ
|
|
Ne Sandėlyje Esantys
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
|
Bipolar
|
SiGe
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
- CE3521M4-C2
- CEL
-
15 000:
0,86 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE3521M4-C2
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 15 000
Daugkart.: 15 000
:
15 000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
20 GHz
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
11.9 dB
|
Reel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
- NE5550979A-EV04-A
- CEL
-
1:
152,56 €
-
Ne Sandėlyje Esantys
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-NE5550979A-EV04A
|
CEL
|
RD MOSFET tranzistoriai Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
|
|
Ne Sandėlyje Esantys
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai
CEL CE7530K2-C1
- CE7530K2-C1
- CEL
-
10 000:
2,46 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE7530K2-C1
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
:
10 000
|
|
RF JFET Transistors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
RF JFET tranzistoriai
CEL CE7531K3-C1
- CE7531K3-C1
- CEL
-
10 000:
2,46 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
551-CE7531K3-C1
|
CEL
|
RF JFET tranzistoriai
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
:
10 000
|
|
RF JFET Transistors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF19
- NESG2030M04-EVNF19
- CEL
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
NESG2030M04-EVNF19
|
CEL
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
Ne
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar
|
SiGe
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF24
- NESG2030M04-EVNF24
- CEL
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
NESG2030M04-EVNF24
|
CEL
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
Ne
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar
|
SiGe
|
|
|
|
|
|
|