TE Connectivity RD induktoriai

RF induktorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 274
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Induktyvumas tolerancija Didžiausia nuolatinė srovė Terminacijos Stilius Didžiausia darbinė temperatūra
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 0.27uH 5% 2K RL 14 174Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

270 nH 5 % 350 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 1008 4.7uH 5% 2K RL 7 152Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

4.7 uH 5 % 260 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 0.82uH 5% 2K RL 32 254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

820 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 43nH 5% 2K RL 958Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

43 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 155 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 1008 1.0uH 2% 2K RL 2 380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

1 uH 2 % 370 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 72nH 5% 2K RL 1 971Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

72 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / AMP RD induktoriai – SMD 3650 1008 12nH 5% 2K RL 1 845Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

12 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / AMP RD induktoriai – SMD 3650 1008 3.3uH 5% 2K RL 955Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

3.3 uH 5 % 290 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / AMP RD induktoriai – SMD 3650 0603 3.9nH 5% 2K RL 2 620Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

3.9 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 0.62uH 5% 2K RL 1 472Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

620 nH 5 % 210 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 1008 33nH 5% 2K RL 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

33 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 155 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 0603 18nH 5% 2K RL 373Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-11-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

18 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 1.4 Ohms 5% 280mA 1.6 x 0.8 0603 1 728Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

160 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 5.6uH 300mA 33MHz 380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500
5.6 uH 10 % 300 mA SMD/SMT + 100 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 0603 1.8nH 5% 2K RL 245Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

1.8 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 155 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 0603 8.7nH 5% 2K RL 51Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

8.7 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – švininiai SC0914 1000uH 10% 979Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 mH 10 % 300 uA Radial + 80 C
TE Connectivity / AMP RD induktoriai – SMD 47 nH 150mA 2.1MHz 96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

47 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 8.2nH 680mA 4.4MHz 2 328Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

8.2 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 0.15uH 5% 2K RL 3 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

150 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 1008 1.0uH 5% 2K RL 3 143Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

1 uH 5 % 370 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 250 mAmps +/- 10% 10 uH 3 239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

10 uH 10 % 250 mA SMD/SMT + 100 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 1.6nH 700mA 12500MHz 3 800Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

1.6 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 3650 2A 0.33uH 5% 2K RL 4 735Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

330 nH 5 % 310 mA SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy RD induktoriai – SMD 4.7nH 640mA 4.7MHz 3 573Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

4.7 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 125 C