|
|
RD induktoriai – SMD IND 1.00 uH 0.025 A 600.00 mOhm
- AIML-0603-1R0K-T
- ABRACON
-
1:
0,086 €
-
73 716Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-1R0KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 1.00 uH 0.025 A 600.00 mOhm
|
|
73 716Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
1 uH
|
10 %
|
25 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO
- MLF1608DR10KTA00
- TDK
-
1:
0,103 €
-
34 004Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
810-MLF1608DR10KTA00
|
TDK
|
RD induktoriai – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO
|
|
34 004Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
100 nH
|
10 %
|
200 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 4.7 UH 10%
- AIML-0603-4R7K-T
- ABRACON
-
1:
0,086 €
-
44 072Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-4R7KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD 4.7 UH 10%
|
|
44 072Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
4.7 uH
|
10 %
|
15 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Wire Wound-STD
- BWLS00161109R47K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 581Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
603-BWLS161109R47K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Wire Wound-STD
|
|
7 581Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
470 nH
|
10 %
|
1.05 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS001611091R5K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 980Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS1611091R5K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 980Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
1.5 uH
|
10 %
|
540 mA
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R68K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 308Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R68K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 308Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
680 nH
|
10 %
|
850 mA
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD IND 0.12 uH 0.050 A 500.00 mOhm
- AIML-0603-R12K-T
- ABRACON
-
1:
0,163 €
-
4 487Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-R12KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 0.12 uH 0.050 A 500.00 mOhm
|
|
4 487Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
120 nH
|
10 %
|
50 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD IND 0.22 uH 0.050 A 800.00 mOhm
- AIML-0603-R22K-T
- ABRACON
-
1:
0,163 €
-
2 337Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-R22KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 0.22 uH 0.050 A 800.00 mOhm
|
|
2 337Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
220 nH
|
10 %
|
50 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD IND 0.33 uH 0.050 A 850.00 mOhm
- AIML-0603-R33K-T
- ABRACON
-
1:
0,163 €
-
3 997Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-R33KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 0.33 uH 0.050 A 850.00 mOhm
|
|
3 997Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
330 nH
|
10 %
|
35 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS001611094R7K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 450Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS1611094R7K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 450Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
4.7 uH
|
10 %
|
420 mA
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R22K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 820Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R22K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 820Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
220 nH
|
10 %
|
1.35 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R24K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 894Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R24K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 894Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
240 nH
|
10 %
|
1.3 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R39K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 750Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R39K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 750Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
390 nH
|
10 %
|
1.2 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R33K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 895Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R33K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 895Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
330 nH
|
10 %
|
1.2 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R15K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 857Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R15K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 857Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
150 nH
|
10 %
|
1.45 A
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
- BWLS00161109R56K00
- Pulse Electronics
-
1:
0,232 €
-
7 909Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
673-BWLS161109R56K00
|
Pulse Electronics
|
RD induktoriai – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
|
|
7 909Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
560 nH
|
10 %
|
850 mA
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD IND 82.00 nH 0.050 A 300.00 mOhm
- AIML-0603-82NK-T
- ABRACON
-
1:
0,163 €
-
5 314Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-82NKT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 82.00 nH 0.050 A 300.00 mOhm
|
|
5 314Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
82 nH
|
10 %
|
50 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD IND 0.15 uH 0.050 A 600.00 mOhm
- AIML-0603-R15K-T
- ABRACON
-
1:
0,163 €
-
5 831Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
815-AIML-0603-R15KT
|
ABRACON
|
RD induktoriai – SMD IND 0.15 uH 0.050 A 600.00 mOhm
|
|
5 831Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
150 nH
|
10 %
|
50 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 5.6 UH 10%
- MLF1608E5R6KTA00
- TDK
-
1:
0,103 €
-
18 195Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
810-MLF1608E5R6KTA00
|
TDK
|
RD induktoriai – SMD 5.6 UH 10%
|
|
18 195Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
5.6 uH
|
10 %
|
15 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO
- MLF1608DR15KTA00
- TDK
-
1:
0,095 €
-
19 161Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
810-MLF1608DR15KTA00
|
TDK
|
RD induktoriai – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO
|
|
19 161Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
150 nH
|
10 %
|
200 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 220nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
- MLF1608DR22KTD25
- TDK
-
1:
0,146 €
-
14 293Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
810-MLF1608DR22KTD25
|
TDK
|
RD induktoriai – SMD 220nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
|
|
14 293Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
220 nH
|
10 %
|
150 mA
|
+ 125 C
|
AEC-Q200
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD .56uH 10%
- ILSB0603ERR56K
- Vishay / Dale
-
1:
0,129 €
-
6 507Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
70-ILSB0603ERR56K
|
Vishay / Dale
|
RD induktoriai – SMD .56uH 10%
|
|
6 507Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
560 nH
|
10 %
|
35 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 0.18uH '10%
- CS160808-R18K
- Bourns
-
1:
0,103 €
-
8 725Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
652-CS160808-R18K
|
Bourns
|
RD induktoriai – SMD 0.18uH '10%
|
|
8 725Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
180 nH
|
10 %
|
200 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD 1.5uH 10%
- ILSB0603ER1R5K
- Vishay / Dale
-
1:
0,129 €
-
4 560Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
70-ILSB0603ER1R5K
|
Vishay / Dale
|
RD induktoriai – SMD 1.5uH 10%
|
|
4 560Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
1.5 uH
|
10 %
|
25 mA
|
+ 125 C
|
|
|
|
|
RD induktoriai – SMD .82uH 10%
- ILSB0603ERR82K
- Vishay / Dale
-
1:
0,129 €
-
2 230Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
70-ILSB0603ERR82K
|
Vishay / Dale
|
RD induktoriai – SMD .82uH 10%
|
|
2 230Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
820 nH
|
10 %
|
35 mA
|
+ 125 C
|
|
|