SiTime MEMS osciliatoriai

Rezultatai: 7 673
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Pakuotė / Korpusas Dažnis Dažnio stabilumas Apkrovos Talpa Maitinimo Įtampa - Min. Maksimali Maitinimo Įtampa Išvesties Formatas Dabartinė klasė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Kvalifikacija Serija
SiTime MEMS osciliatoriai 90MHz 3.3V 50ppm -20C +70C 466Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

90 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 402Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 126Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

40 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 2.097MHz 3.3V 20ppm -40C +85C 114Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 2.097 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 12.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 669Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

12.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 20MHz 50ppm 3.3V -40C +85C 123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 20 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
2 mm x 1.6 mm 50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 38.4MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 482Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 38.4 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208

SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 245Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

SiT8208
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

12.288 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 245Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

12.288 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 100MHz 3.3V -49C +125C 35Prieinamumas
250Tikėtina 2027-01-07
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 125 C SiT8918B

SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 125C, 3225, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 11Prieinamumas
250Tikėtina 2026-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

40 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.7 mA - 40 C + 125 C SIT8918B


SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 105C, 7050, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 33.3333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 214Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.7 mA - 40 C + 105 C SIT8918B
SiTime MEMS osciliatoriai 100MHz 25ppm 3.3V -40C to +85C 43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

7 mm x 5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121
SiTime MEMS osciliatoriai 48MHz, 20PPM, 55%, Low Power SMD/SMT Standard Frequency Oscillator 1 400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 51Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 454Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 2.5x2.0, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, Default, 1k pcs T&R 8 mm 681Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 200Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 20.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 20 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS osciliatoriai 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 206Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B