NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 250 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 230 mA, 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 360 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 255 mA, 360 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 420 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 320 mA, 440 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 250 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 250 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 355 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 390 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray