NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

288 Mbit 8 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 530 mA, 690 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 320 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 350 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 265 mA, 355 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 185 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 265 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 330 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 285 mA, 375 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 345 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 380 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 285 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 200 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 295 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 365 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 270 mA, 355 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray