NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 225 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 280 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
N/A
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 35 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 315 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 350 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 365 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 175 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 210 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray