SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Rezultatai: 493
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 225 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 2M (128Kx16) 12ns Async SRAM
Duomenų Lapas
198Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Duomenų Lapas
234Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
53Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Duomenų Lapas
551Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel

ISSI SRAM 1Mb 5V 15ns 64K x 16 Async SRAM
Duomenų Lapas
101Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Duomenų Lapas
230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
Duomenų Lapas
58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 300 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp
Duomenų Lapas
78Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz 3.3 V 2.5 V 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
Duomenų Lapas
298Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 kbit 32 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-28 Tube
ISSI IS62WV25616EALL-55TLI
ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS62WV12816FBLL-45TLI
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
113Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Duomenų Lapas
215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Duomenų Lapas
558Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube