SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Rezultatai: 493
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
465Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 256K (32K x 8) 20ns Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
84Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
Duomenų Lapas
76Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns 5V Async SRAM
Duomenų Lapas
319Prieinamumas
234Tikėtina 2026-08-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 64K 8Kx8 10ns 5V Async SRAM
Duomenų Lapas
37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns
Duomenų Lapas
125Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async SRAM
Duomenų Lapas
123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM
Duomenų Lapas
181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
480Tikėtina 2026-10-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM
Duomenų Lapas
198Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
104Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
178Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM 5v
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
Duomenų Lapas
179Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Duomenų Lapas
273Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Duomenų Lapas
234Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
Duomenų Lapas
376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async SRAM
Duomenų Lapas
187Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
72Tikėtina 2027-01-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray