Pereiti prie Pagrindinio Turinio

TTI specialistų komandos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780Susisiekite su mumis

Pakeisti vietovę

+370 64003780 Pakeisti vietovę

Yra sandėlyje

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSIC SiC MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 5

Taikyti filtrai:

Prekinis pavadinimas = CoolSIC

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,07 € 1 117Prieinamumas 1 680Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMYH200R024M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Duomenų Lapas	1 117Prieinamumas 1 680Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMYH200R024M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 1 117 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 480 Tikėtina 2026-10-15 1 200 Tikėtina 2027-04-15 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	39,07 € 29,05 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 21,54 € 116Prieinamumas 1 920Tikėtina 2026-10-15	Gam. dalies Nr. IMYH200R050M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Duomenų Lapas	116Prieinamumas 1 920Tikėtina 2026-10-15	21,54 € 13,58 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 17,91 € 746Prieinamumas 480Tikėtina 2026-10-15	Gam. dalies Nr. IMYH200R075M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Duomenų Lapas	746Prieinamumas 480Tikėtina 2026-10-15	17,91 € 10,87 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 68,48 € Vykdymo Laikas 53 Savaičių	Gam. dalies Nr. IMYH200R012M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Duomenų Lapas	Vykdymo Laikas 53 Savaičių	68,48 € 56,95 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,57 € 2 089Tikėtina 2027-07-22	Gam. dalies Nr. IMYH200R100M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Duomenų Lapas	2 089Tikėtina 2027-07-22	16,57 € 9,52 € 9,13 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC