2.1 V Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, SOT-23, 30V, 5.6A, 150C, N, AEC-Q101 6 855Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
184 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Microchip Technology MOSFETs 250V 3.3A
3 514Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
1 579Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

STMicroelectronics GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
400Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Texas Instruments MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
3 798Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1


Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
31 814Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
2 900Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
2 625Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1



Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
3 450Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=210W F=1MHZ
10 000Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Toshiba MOSFETs -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF)
5 000Tikėtina 2026-08-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Toshiba MOSFETs -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF)
5 000Tikėtina 2027-01-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Nexperia MOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3
70 000Tikėtina 2027-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Nexperia MOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
12 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

onsemi MOSFETs T10 80V SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
9 995Tikėtina 2027-01-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 500
: 5 000

onsemi MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, Source Down, WDFN980 V, 3.6 m, 107 A
3 000Tikėtina 2026-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 300
: 3 000

onsemi GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
2 500Tikėtina 2027-06-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
497Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
400Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
1 994Tikėtina 2027-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V X2-DFN1006-3 T&R 10K
13 686Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
5 000Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
799Tikėtina 2026-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia MOSFETs BSS84AKM/SOT883/XQFN3
33 179Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000