|
|
Gate Tvarkyklės HVGD_TRACT
- 1EDI3028ASXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,35 €
-
986Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI3028ASXUMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės HVGD_TRACT
|
|
986Prieinamumas
|
|
|
3,35 €
|
|
|
2,53 €
|
|
|
2,32 €
|
|
|
2,10 €
|
|
|
1,83 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,99 €
|
|
|
1,97 €
|
|
|
1,79 €
|
|
|
1,77 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
- F3L400R10N3S7FC1BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
185,10 €
-
20Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L400R10N3S7FC1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
- F3L500R12N3H7FB66BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
254,51 €
-
20Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L500R12N3H7FB6
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
- F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
152,79 €
-
33Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L8MXTR12C2M2H1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
|
|
33Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
- F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
159,73 €
-
16Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L8MXTR12C2M2QH
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
- F413MXTR12C1M2H11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
112,00 €
-
45Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F413MXTR12C1M2H1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
|
|
45Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
- F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
119,24 €
-
30Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F413MXTR12C1M2QH
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
- F46MR20W3M1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
416,47 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F46MR20W3M1HB11B
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
- F48MXTR12C2M2H11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
152,79 €
-
23Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F48MXTR12C2M2H11
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
|
|
23Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
- F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
159,73 €
-
33Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F48MXTR12C2M2QH1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
|
|
33Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
115,14 €
-
82Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF06MR12A04MA2AK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
82Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF1MR12KM1HSHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
388,52 €
-
12Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HSHPSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
- FF1MR12MM1HB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
478,61 €
-
4Prieinamumas
-
30Tikėtina 2026-10-09
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12MM1HB11BP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
|
|
4Prieinamumas
30Tikėtina 2026-10-09
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
- FF3MR20W3M1HH11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
340,78 €
-
6Prieinamumas
-
24Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF3MR20W3M1HH11B
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
|
|
6Prieinamumas
24Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
6 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
16 Tikėtina 2026-12-24
8 Tikėtina 2027-02-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF5MR20KM1HSHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
241,32 €
-
14Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF5MR20KM1HSHPSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
771,88 €
-
6Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR08A8MA2CHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,29 €
-
340Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDWD25G200C5XKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
|
|
340Prieinamumas
|
|
|
17,29 €
|
|
|
11,77 €
|
|
|
11,01 €
|
|
|
10,01 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
- IDWD50G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
26,40 €
-
116Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-11-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDWD50G200C5XKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
|
|
116Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,06 €
-
1 758Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R015M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 758Prieinamumas
|
|
|
12,06 €
|
|
|
6,90 €
|
|
|
6,53 €
|
|
|
6,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R036M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,13 €
-
1 799Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R036M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 799Prieinamumas
|
|
|
7,13 €
|
|
|
3,86 €
|
|
|
3,54 €
|
|
|
3,27 €
|
|
|
3,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R045M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,07 €
-
1 795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R045M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 795Prieinamumas
|
|
|
6,07 €
|
|
|
3,24 €
|
|
|
2,97 €
|
|
|
2,64 €
|
|
|
2,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R025M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
9,71 €
-
1 975Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT44R025M2HXTMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 975Prieinamumas
|
|
|
9,71 €
|
|
|
6,40 €
|
|
|
5,72 €
|
|
|
5,10 €
|
|
|
4,82 €
|
|
|
4,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,48 €
-
306Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW40R011M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
306Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R015M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,24 €
-
179Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW40R015M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
179Prieinamumas
|
|
|
13,24 €
|
|
|
7,47 €
|
|
|
7,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,86 €
-
458Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R011M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
458Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
