|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
24,76 €
-
31Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB53BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
32,83 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DFW1H5FPB53BPSA2
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15 27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
- BM2SC122FP2-LBZE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,85 €
-
1 050Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BM2SC122FP2LBZE2
|
ROHM Semiconductor
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15 27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
|
|
1 050Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15 27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
- BM2SC124FP2-LBZE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
11,27 €
-
581Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BM2SC124FP2LBZE2
|
ROHM Semiconductor
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15 27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
|
|
581Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
604,96 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
- BSM180D12P2C101
- ROHM Semiconductor
-
1:
465,42 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180D12P2C101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed Automotive Qual
- NCV51705MNTWG
- onsemi
-
1:
3,72 €
-
2 697Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCV51705MNTWG
|
onsemi
|
Gate Tvarkyklės Automotive SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed Automotive Qual
|
|
2 697Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
- MSCSM120DDUM16CTBL3NG
- Microchip Technology
-
1:
392,04 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-120DDUM16CTBL3NG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
- MSCSM120HM063CAG
- Microchip Technology
-
1:
692,04 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSCSM120HM063CAG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM400C12P3G202
- ROHM Semiconductor
-
1:
969,13 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM400C12P3G202
|
ROHM Semiconductor
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
- MSCDC50H1201AG
- Microchip Technology
-
1:
77,39 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSCDC50H1201AG
|
Microchip Technology
|
Diodų moduliai PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
614,78 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
- AHV85003K18ESTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
1,49 €
-
8 570Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
250-AHV85003K18ESTR
Naujas Produktas
|
Allegro MicroSystems
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
|
|
8 570Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
- MSCSM330AM07CD3NG
- Microchip Technology
-
1:
858,04 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSCSM33007CD3NG
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-D3
- MSCSM330AM15D3NG
- Microchip Technology
-
1:
440,45 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSCSM330AM15D3NG
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-D3
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Microchip Technology
-
1:
858,04 €
-
2Prieinamumas
-
2Tikėtina 2026-11-06
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSCSM330M07CD3NG
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
|
|
2Prieinamumas
2Tikėtina 2026-11-06
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
143,77 €
-
41Prieinamumas
-
100Tikėtina 2026-11-02
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1004ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1004
|
|
41Prieinamumas
100Tikėtina 2026-11-02
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
70,41 €
-
90Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1011ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1011
|
|
90Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
85,31 €
-
90Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1014ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1014
|
|
90Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
- NXH400N100H4Q2F2PG
- onsemi
-
1:
198,14 €
-
35Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H400N100H4Q2F2PG
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
Igbt Moduliai MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
|
|
35Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2B Half- Bridge 48mm
- CAB008M12GM3
- Wolfspeed
-
1:
144,87 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB008M12GM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2B Half- Bridge 48mm
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B
- MCB40P1200LB-TUB
- IXYS
-
1:
237,40 €
-
26Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCB40P1200LB-TUB
|
IXYS
|
MOSFET moduliai SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B
|
|
26Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
10,35 €
-
417Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGHL75T65SQDC
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
- BSM300D12P3E005
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 347,92 €
-
4Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P3E005
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM400D12P3G002
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 223,66 €
-
2Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM400D12P3G002
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|