PSRAM (Pseudo SRAM) Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 82
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 426Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 106Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2 337Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 2 614Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 475Prieinamumas
4 320Tikėtina 2026-12-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 1 710Prieinamumas
9 600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 920Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 875Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 902Prieinamumas
800Tikėtina 2027-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 651Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 135Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 134Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1 669Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
8 590Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
23 660Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
65 901Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14 400Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
6 449Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000