|
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
2,65 €
-
20 317Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20 317Prieinamumas
|
|
|
2,65 €
|
|
|
2,40 €
|
|
|
2,21 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,11 €
|
|
|
2,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TK1R5R04PB,LXGQ
- Toshiba
-
1:
3,13 €
-
14 862Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TK1R5R04PB,LXGQ
|
Toshiba
|
MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
14 862Prieinamumas
|
|
|
3,13 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,43 €
|
|
|
1,16 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,972 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- SISA88DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,843 €
-
203 416Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SISA88DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
|
|
203 416Prieinamumas
|
|
|
0,843 €
|
|
|
0,386 €
|
|
|
0,341 €
|
|
|
0,262 €
|
|
|
0,203 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 900V N-Channel QFET
- FQB5N90TM
- onsemi
-
1:
3,84 €
-
11 765Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FQB5N90TM
|
onsemi
|
MOSFETs 900V N-Channel QFET
|
|
11 765Prieinamumas
|
|
|
3,84 €
|
|
|
1,97 €
|
|
|
1,74 €
|
|
|
1,43 €
|
|
|
1,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 800
:
800
|
|
|
|
|
MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
- TK31V60X,LQ
- Toshiba
-
1:
5,92 €
-
4 891Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TK31V60XLQ
|
Toshiba
|
MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
|
|
4 891Prieinamumas
|
|
|
5,92 €
|
|
|
3,33 €
|
|
|
3,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
- FDPF20N50T
- onsemi
-
1:
4,39 €
-
7 185Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDPF20N50T
|
onsemi
|
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
|
|
7 185Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL 100+
- IPB120N10S405ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,62 €
-
14 096Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB120N10S405ATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N-CHANNEL 100+
|
|
14 096Prieinamumas
|
|
|
3,62 €
|
|
|
1,84 €
|
|
|
1,67 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
1,32 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET > 60-80V
- IPD053N08N3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,54 €
-
45 959Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPD053N08N3GA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET > 60-80V
|
|
45 959Prieinamumas
|
|
|
2,54 €
|
|
|
1,30 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,777 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,858 €
|
|
|
0,758 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
- IPD30N08S2L21ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,20 €
-
36 604Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPD30N08S2L21ATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
|
|
36 604Prieinamumas
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,788 €
|
|
|
0,753 €
|
|
|
0,685 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET
- SIDR510EP-T1-RE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
3,58 €
-
11 244Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIDR510EP-T1-RE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET
|
|
11 244Prieinamumas
|
|
|
3,58 €
|
|
|
1,89 €
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 60V
- IPB029N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,15 €
-
1 545Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB029N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 60V
|
|
1 545Prieinamumas
|
|
|
3,15 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
5,81 €
-
1 758Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1 758Prieinamumas
|
|
|
5,81 €
|
|
|
3,80 €
|
|
|
2,80 €
|
|
|
2,49 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
2,00 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
2,05 €
-
29 667Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPD50N06S2L13ATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
|
|
29 667Prieinamumas
|
|
|
2,05 €
|
|
|
1,02 €
|
|
|
0,869 €
|
|
|
0,728 €
|
|
|
0,685 €
|
|
|
0,623 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
- SSM6K341NU,LF
- Toshiba
-
1:
0,705 €
-
521 616Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-SSM6K341NULF
|
Toshiba
|
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
|
|
521 616Prieinamumas
|
|
|
0,705 €
|
|
|
0,319 €
|
|
|
0,281 €
|
|
|
0,214 €
|
|
|
0,165 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,211 €
|
|
|
0,158 €
|
|
|
0,144 €
|
|
|
0,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ142EP-T1_JE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,61 €
-
2 152Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJ142EP-T1_JE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2 152Prieinamumas
|
|
|
1,61 €
|
|
|
0,998 €
|
|
|
0,653 €
|
|
|
0,513 €
|
|
|
0,355 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,439 €
|
|
|
0,352 €
|
|
|
0,347 €
|
|
|
0,335 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
6,08 €
-
399Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STWA60N028T
Naujas Produktas
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
399Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
399 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
600 Tikėtina 2027-02-12
600 Tikėtina 2027-02-26
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
|
6,08 €
|
|
|
4,07 €
|
|
|
3,27 €
|
|
|
2,91 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,39 €
|
|
|
2,37 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
- DMT31M8LFVWQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,63 €
-
2 916Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMT31M8LFVWQ-13
Naujas Produktas
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
|
|
2 916Prieinamumas
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,662 €
|
|
|
0,662 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 292
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMDQ75R007M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
31,83 €
-
6Prieinamumas
-
9 735Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ75R007M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
6Prieinamumas
9 735Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
6 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
735 Tikėtina 2026-10-01
2 250 Tikėtina 2027-04-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
31,83 €
|
|
|
25,97 €
|
|
|
22,94 €
|
|
|
21,72 €
|
|
|
21,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
- AAR050V065H2
- APC-E
-
1:
6,90 €
-
266Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-AAR050V065H2
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
|
|
266Prieinamumas
|
|
|
6,90 €
|
|
|
4,86 €
|
|
|
3,92 €
|
|
|
3,30 €
|
|
|
3,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs T6 40V NCH LL IN S08FL
- NVMFS5C456NLAFT1G-YE
- onsemi
-
1:
1,55 €
-
1 192Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FS5C456NLAFT1GYE
Naujas Produktas
|
onsemi
|
MOSFETs T6 40V NCH LL IN S08FL
|
|
1 192Prieinamumas
|
|
|
1,55 €
|
|
|
0,955 €
|
|
|
0,629 €
|
|
|
0,629 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 125
:
1 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
- AAR075V120H2
- APC-E
-
1:
6,98 €
-
290Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-AAR075V120H2
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
|
|
290Prieinamumas
|
|
|
6,98 €
|
|
|
4,67 €
|
|
|
3,75 €
|
|
|
3,21 €
|
|
|
2,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
- SIR680LDP-T1-UE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
2,96 €
-
1 760Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR680LDP-T1-UE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
|
|
1 760Prieinamumas
|
|
|
2,96 €
|
|
|
1,92 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,11 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,963 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
- IXFN340N07
- IXYS
-
1:
60,45 €
-
942Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN340N07
|
IXYS
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
|
|
942Prieinamumas
|
|
|
60,45 €
|
|
|
51,37 €
|
|
|
43,54 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai DIODE Id54 BVdass800
- IXFN60N80P
- IXYS
-
1:
50,41 €
-
597Prieinamumas
-
980Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN60N80P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai DIODE Id54 BVdass800
|
|
597Prieinamumas
980Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
597 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
310 Tikėtina 2026-12-09
670 Tikėtina 2026-12-21
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
|
50,41 €
|
|
|
40,84 €
|
|
|
38,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
