|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 530A SiC
- CAS530M12BM3
- Wolfspeed
-
1:
529,86 €
-
24Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAS530M12BM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 530A SiC
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC HalfBridgeModule1700 V
- CAB320M17XM3
- Wolfspeed
-
1:
1 039,74 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB320M17XM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC HalfBridgeModule1700 V
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
- CAB450M12XM3
- Wolfspeed
-
1:
779,37 €
-
174Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB450M12XM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
|
|
174Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
MOSFET moduliai 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
- NXH011F120M3F2PTHG
- onsemi
-
1:
117,21 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H011F120M3F2PTHG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
35,40 €
-
240Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R008M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Prieinamumas
|
|
|
35,40 €
|
|
|
26,09 €
|
|
|
23,07 €
|
|
|
22,49 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/25ASICFULL-BRIDGE
- UFB25SC12E1BC3N
- onsemi
-
1:
129,20 €
-
86Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UFB25SC12E1BC3N
NRND
|
onsemi
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/25ASICFULL-BRIDGE
|
|
86Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5.7kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21530DWK
- UCC21530DWKR
- Texas Instruments
-
1:
3,84 €
-
4 424Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21530DWKR
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5.7kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21530DWK
|
|
4 424Prieinamumas
|
|
|
3,84 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,69 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,31 €
|
|
|
2,30 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
2,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 3kVrms + /-10A single-channel 595-UCC21739QDWQ1
- UCC21739QDWRQ1
- Texas Instruments
-
1:
6,05 €
-
1 787Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21739QDWRQ1
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 3kVrms + /-10A single-channel 595-UCC21739QDWQ1
|
|
1 787Prieinamumas
|
|
|
6,05 €
|
|
|
5,14 €
|
|
|
3,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 480A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial
- CAS480M12HM3
- Wolfspeed
-
1:
1 899,48 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAS480M12HM3
|
Wolfspeed
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 480A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
2 123,26 €
-
12Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS03MR12A6MA1BBP
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/15ASICFULL-BRIDGE
- UFB15C12E1BC3N
- onsemi
-
1:
111,76 €
-
24Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UFB15C12E1BC3N
Netinkama eksploatuoti
|
onsemi
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/15ASICFULL-BRIDGE
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/50ASICHALF-BRIDGE
- UHB50SC12E1BC3N
- onsemi
-
1:
129,20 €
-
13Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UHB50SC12E1BC3N
Netinkama eksploatuoti
|
onsemi
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V/50ASICHALF-BRIDGE
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
- G3F09MT12FB2
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
119,87 €
-
57Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12FB2
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
|
|
57Prieinamumas
|
|
|
119,87 €
|
|
|
119,84 €
|
|
|
117,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
- G3F09MT12FB2-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
126,43 €
-
94Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12FB2-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
|
|
94Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
- G3F17MT12FB2
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
87,67 €
-
94Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F17MT12FB2
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
|
|
94Prieinamumas
|
|
|
87,67 €
|
|
|
87,63 €
|
|
|
72,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
- G3F17MT12FB2-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
92,09 €
-
94Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F17MT12FB2-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
|
|
94Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
- G3F18MT12FB4
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
119,81 €
-
95Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F18MT12FB4
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
|
|
95Prieinamumas
|
|
|
119,81 €
|
|
|
119,78 €
|
|
|
101,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
- G3F18MT12FB4-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
125,37 €
-
96Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F18MT12FB4-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
|
|
96Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SP6C
Microchip Technology MSCSM170HRM075NG
- MSCSM170HRM075NG
- Microchip Technology
-
1:
604,03 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSCSM170HRM075NG
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SP6C
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
- NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi
-
1:
149,05 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H007F120M3F2PTHG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
- GCMX005A120B3B1P
- SemiQ
-
1:
148,42 €
-
34Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX005A120B3B1P
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
|
|
34Prieinamumas
|
|
|
148,42 €
|
|
|
113,86 €
|
|
|
113,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
40
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
247,32 €
-
4Prieinamumas
-
48Tikėtina 2026-12-08
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF3MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
4Prieinamumas
48Tikėtina 2026-12-08
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
771,88 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR08A8MA2LBC
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC
- IX4352NE
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
2,87 €
-
362Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IX4352NE
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC
|
|
362Prieinamumas
|
|
|
2,87 €
|
|
|
2,16 €
|
|
|
1,87 €
|
|
|
1,78 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300D12P4G101
- ROHM Semiconductor
-
1:
491,56 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P4G101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|