SiC Puslaidininkiai

Rezultatai: 867
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 223Prieinamumas
3 600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 60Prieinamumas
720Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 200Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 193Prieinamumas
240Tikėtina 2027-05-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 195Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 225Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Quasi-resonant AC/DC Converter Built-in 1700V SiC-MOSFET 34Prieinamumas
500Tikėtina 2027-02-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module 96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 88Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module 95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM 94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module 95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SemiQ Diodų moduliai SiC 1700V 100A Schottky Diode Module 117Prieinamumas
180Tikėtina 2026-09-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFET moduliai ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A 18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFET moduliai Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC 108Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs 1 852Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

STMicroelectronics Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs 2 205Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat 1 476Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat 1 495Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Automotive +/-5-A s ingle-channel isolat 3 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Low-side 3A/3A drive r with desaturation 2 042Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės Automotive low-side 3A/3A driver with de 1 776Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
: 3 000

Texas Instruments Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 30-A isol ated 5.7-kV VRMS IG 549Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750