|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R025M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,93 €
-
223Prieinamumas
-
3 600Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R025M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
223Prieinamumas
3 600Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
223 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 800 Tikėtina 2026-10-01
1 800 Tikėtina 2026-10-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
8,93 €
|
|
|
5,96 €
|
|
|
5,26 €
|
|
|
4,70 €
|
|
|
4,44 €
|
|
|
4,44 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,67 €
-
60Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-10-01
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW40R025M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
60Prieinamumas
720Tikėtina 2026-10-01
|
|
|
10,67 €
|
|
|
6,68 €
|
|
|
5,65 €
|
|
|
5,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R036M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,21 €
-
200Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-28
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW40R036M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
200Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-28
|
|
|
8,21 €
|
|
|
4,41 €
|
|
|
4,07 €
|
|
|
3,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R045M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,15 €
-
193Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-05-27
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW40R045M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
193Prieinamumas
240Tikėtina 2027-05-27
|
|
|
7,15 €
|
|
|
3,78 €
|
|
|
3,48 €
|
|
|
3,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,30 €
-
195Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-28
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R025M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
195Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-28
|
|
|
10,30 €
|
|
|
6,16 €
|
|
|
5,31 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R036M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,40 €
-
240Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R036M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Prieinamumas
|
|
|
8,40 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,17 €
|
|
|
4,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R045M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,31 €
-
225Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA40R045M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
225Prieinamumas
|
|
|
7,31 €
|
|
|
3,88 €
|
|
|
3,57 €
|
|
|
3,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Quasi-resonant AC/DC Converter Built-in 1700V SiC-MOSFET
- BM2SC125FP2-LBZE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
9,56 €
-
34Prieinamumas
-
500Tikėtina 2027-02-17
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BM2SC125FP2LBZE2
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Quasi-resonant AC/DC Converter Built-in 1700V SiC-MOSFET
|
|
34Prieinamumas
500Tikėtina 2027-02-17
|
|
|
9,56 €
|
|
|
7,48 €
|
|
|
6,97 €
|
|
|
6,39 €
|
|
|
6,19 €
|
|
|
5,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
- G3F05MT12GB2
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
239,51 €
-
96Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F05MT12GB2
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
|
|
96Prieinamumas
|
|
|
239,51 €
|
|
|
239,48 €
|
|
|
239,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
- G3F05MT12GB2-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
252,64 €
-
88Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F05MT12GB2-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
|
|
88Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
- G3F09MT12G3T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
216,83 €
-
95Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12G3T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
|
|
95Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
- G3F09MT12G3T-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
252,93 €
-
94Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12G3T-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
|
|
94Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
- G3F09MT12GB4
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
216,51 €
-
95Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12GB4
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
|
|
95Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
- G3F09MT12GB4-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
252,49 €
-
94Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F09MT12GB4-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
|
|
94Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
- GHXS100B170S-D3
- SemiQ
-
1:
54,50 €
-
117Prieinamumas
-
180Tikėtina 2026-09-30
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS100B170S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
|
|
117Prieinamumas
180Tikėtina 2026-09-30
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
- A2U8M12W3-FC
- STMicroelectronics
-
1:
152,20 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-A2U8M12W3-FC
|
STMicroelectronics
|
MOSFET moduliai ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
- M1P45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
51,81 €
-
108Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-M1P45M12W2-1LA
|
STMicroelectronics
|
MOSFET moduliai Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
|
|
108Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSACTR
- STMicroelectronics
-
1:
2,25 €
-
1 852Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGAP2SICSACTR
|
STMicroelectronics
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
1 852Prieinamumas
|
|
|
2,25 €
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSANCTR
- STMicroelectronics
-
1:
1,71 €
-
2 205Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGAP2SICSANCTR
|
STMicroelectronics
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
2 205Prieinamumas
|
|
|
1,71 €
|
|
|
1,28 €
|
|
|
1,17 €
|
|
|
1,05 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,98 €
|
|
|
0,955 €
|
|
|
0,869 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat
- UCC21330AQDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
1,89 €
-
1 476Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21330AQDRQ1
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat
|
|
1 476Prieinamumas
|
|
|
1,89 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
1,27 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,989 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,989 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat
- UCC21330CQDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
1,89 €
-
1 495Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21330CQDRQ1
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Automotive 3kVRMS 4 A/6A two-channel gat
|
|
1 495Prieinamumas
|
|
|
1,89 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
1,27 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,989 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,989 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive +/-5-A s ingle-channel isolat
- UCC5350SBQDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
3,03 €
-
3 934Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC5350SBQDRQ1
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Automotive +/-5-A s ingle-channel isolat
|
|
3 934Prieinamumas
|
|
|
3,03 €
|
|
|
2,26 €
|
|
|
2,06 €
|
|
|
1,87 €
|
|
|
1,61 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Low-side 3A/3A drive r with desaturation
- UCC57108BDR
- Texas Instruments
-
1:
1,55 €
-
2 042Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC57108BDR
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Low-side 3A/3A drive r with desaturation
|
|
2 042Prieinamumas
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,04 €
|
|
|
0,929 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,833 €
|
|
|
0,869 €
|
|
|
0,836 €
|
|
|
0,833 €
|
|
|
0,833 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive low-side 3A/3A driver with de
- UCC57108BQDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
1,80 €
-
1 776Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC57108BQDRQ1
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Automotive low-side 3A/3A driver with de
|
|
1 776Prieinamumas
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,33 €
|
|
|
1,21 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,946 €
|
|
|
1,02 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,946 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
3 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 30-A isol ated 5.7-kV VRMS IG
- UCC5871QDWJRQ1
- Texas Instruments
-
1:
17,63 €
-
549Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC5871QDWJRQ1
|
Texas Instruments
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 30-A isol ated 5.7-kV VRMS IG
|
|
549Prieinamumas
|
|
|
17,63 €
|
|
|
14,05 €
|
|
|
13,17 €
|
|
|
12,33 €
|
|
|
11,29 €
|
|
|
11,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|