Rezultatai: 2 536
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs N-Chnl 60V 6 045Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 220

Diodes Incorporated MOSFETs P-Chnl 45V 16 328Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 170

Diodes Incorporated MOSFETs N-Chnl 100V 5 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 230
: 4 000

InterFET JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise 1 616Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise 883Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

InterFET JFETs JFET N-Channel -25V Low Ciss 2 636Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Melexis Prie plokštės tvirtinami Holo efekto / magnetiniai jutikliai 3 wire Latch
10 923Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Melexis Prie plokštės tvirtinami Holo efekto / magnetiniai jutikliai 3 wire Latch 5 587Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Linijiniai įtampos reguliatoriai 5.0V 0.1A Positive 11 351Prieinamumas
10 000Tikėtina 2027-02-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Linijiniai įtampos reguliatoriai 5.0V 0.1A Positive 34 239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Linijiniai įtampos reguliatoriai 9.0V 0.1A Positive 11 276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics LDO įtampos reguliatoriai 3.3V 100mA Positive 3 145Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

STMicroelectronics LDO įtampos reguliatoriai 5.0V 0.1A Very Low 10 187Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

STMicroelectronics Linijiniai įtampos reguliatoriai 1.2-37V Adj Positive 14 830Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics Linijiniai įtampos reguliatoriai 1.2-37V Adj Positive 12 829Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Transistor General Purpose 120 921Prieinamumas
70 000Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 900

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Transistor General Purpose 43 528Prieinamumas
30 000Tikėtina 2027-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 980

onsemi MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 101 296Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 550

onsemi MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig 26 212Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 610

onsemi MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA 34 035Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 750
: 2 000

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP -45V -800mA HFE/160-400 40 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 530

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 45V 800mA HFE/400 62 795Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 660

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 45V 100mA HFE/800 45 647Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 770

onsemi MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92 85 562Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 910

onsemi MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect 16 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 690
: 2 000