|
|
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
- IXTQ170N10P
- IXYS
-
1:
12,93 €
-
808Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ170N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
|
|
808Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
13,85 €
-
259Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
259Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
3,43 €
-
5 466Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
5 466Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
3,94 €
-
3 793Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW0281G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
|
|
3 793Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
4,02 €
-
2 927Prieinamumas
-
630Tikėtina 2027-04-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW0302G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
|
|
2 927Prieinamumas
630Tikėtina 2027-04-16
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
5,19 €
-
5 256Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW1302G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W TO-3P PNP
|
|
5 256Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W PNP
- NJW21193G
- onsemi
-
1:
4,37 €
-
1 104Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW21193G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W PNP
|
|
1 104Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN
- NJW21194G
- onsemi
-
1:
4,37 €
-
857Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW21194G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN
|
|
857Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
- NJW3281G
- onsemi
-
1:
4,83 €
-
1 875Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW3281G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
|
|
1 875Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
3,92 €
-
577Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
577Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBT 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
3,98 €
-
131Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBT 600V/30A DIS
|
|
131Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ20N50P3
- IXYS
-
1:
7,02 €
-
214Prieinamumas
-
1 055Tikėtina 2026-11-09
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ20N50P3
|
IXYS
|
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
214Prieinamumas
1 055Tikėtina 2026-11-09
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
- IXFQ72N30X3
- IXYS
-
1:
11,76 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ72N30X3
|
IXYS
|
MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
- IXTQ10P50P
- IXYS
-
1:
8,81 €
-
117Prieinamumas
-
420Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ10P50P
|
IXYS
|
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
|
|
117Prieinamumas
420Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
117 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
30 Tikėtina 2026-11-09
390 Tikėtina 2027-01-04
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
8,80 €
-
69Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
69Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
6,25 €
-
219Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
219Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
- IXTQ22N60P
- IXYS
-
1:
8,57 €
-
34Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ22N60P
|
IXYS
|
MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
|
|
34Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
- IXTQ26N50P
- IXYS
-
1:
8,57 €
-
262Prieinamumas
-
300Tikėtina 2027-08-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ26N50P
|
IXYS
|
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
|
|
262Prieinamumas
300Tikėtina 2027-08-16
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
- IXTQ36N30P
- IXYS
-
1:
6,43 €
-
230Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ36N30P
|
IXYS
|
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
|
|
230Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
- IXTQ460P2
- IXYS
-
1:
7,49 €
-
115Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ460P2
|
IXYS
|
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
|
|
115Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
- IXTQ50N20P
- IXYS
-
1:
6,74 €
-
330Prieinamumas
-
480Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ50N20P
|
IXYS
|
MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
|
|
330Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
330 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
30 Tikėtina 2026-11-06
450 Tikėtina 2026-11-09
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
21 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- IXTQ52P10P
- IXYS
-
1:
9,22 €
-
250Prieinamumas
-
300Tikėtina 2026-12-29
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ52P10P
|
IXYS
|
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
|
|
250Prieinamumas
300Tikėtina 2026-12-29
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
- IXTQ75N10P
- IXYS
-
1:
6,43 €
-
128Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ75N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
|
|
128Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
- IXTQ96N20P
- IXYS
-
1:
10,42 €
-
117Prieinamumas
-
300Tikėtina 2027-03-01
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ96N20P
|
IXYS
|
MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
|
|
117Prieinamumas
300Tikėtina 2027-03-01
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
3,19 €
-
734Prieinamumas
-
7 250Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SC5200N(S1ES)
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
734Prieinamumas
7 250Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
734 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 325 Tikėtina 2026-11-02
4 925 Tikėtina 2027-02-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|