TO-3P-3 Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 138
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas
IXYS MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 1 309Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 290Prieinamumas
300Tikėtina 2026-12-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds 263Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 225Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W 2 640Prieinamumas
1 650Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W 2 615Prieinamumas
1 530Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W TO-3P PNP 6 180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W PNP 646Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN 843Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO 995Prieinamumas
1 410Tikėtina 2026-11-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 266Prieinamumas
625Tikėtina 2026-09-18
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBT 600V/30A DIS 134Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 120 Amps 300V 28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 200V 8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 300V 9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V 30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET 31Prieinamumas
1 620Tikėtina 2027-04-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds 69Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 219Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds 357Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET 130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds 7Prieinamumas
300Tikėtina 2027-02-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH 274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3