|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC025SMB120B4N
- Microchip Technology
-
1:
11,69 €
-
56Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC025SMB120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
56Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC035SMA070B4N
- Microchip Technology
-
1:
7,52 €
-
31Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC035SMA070B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC040SMA120B4N
- Microchip Technology
-
1:
15,22 €
-
58Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC040SMA120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
58Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC040SMB120B4N
- Microchip Technology
-
1:
8,21 €
-
95Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC040SMB120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
95Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC045SMB120B4N
- Microchip Technology
-
1:
7,64 €
-
120Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC045SMB120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
120Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC060SMB120B4N
- Microchip Technology
-
1:
6,29 €
-
97Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC060SMB120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
97Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
- MSC080SMB120B4N
- Microchip Technology
-
1:
5,40 €
-
71Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC080SMB120B4N
Naujas Produktas
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
|
|
71Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMZA65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
23,68 €
-
9Prieinamumas
-
720Tikėtina 2027-05-27
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R010M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
9Prieinamumas
720Tikėtina 2027-05-27
|
|
|
23,68 €
|
|
|
16,01 €
|
|
|
14,49 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,37 €
-
21Prieinamumas
-
5 760Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
21Prieinamumas
5 760Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
21 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 880 Tikėtina 2026-10-07
2 880 Tikėtina 2027-06-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
11,37 €
|
|
|
6,85 €
|
|
|
5,97 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMZA65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,94 €
-
34Prieinamumas
-
480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R060M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
34Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
34 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
7,94 €
|
|
|
5,43 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
- FGH4L40T120SWD
- onsemi
-
1:
6,11 €
-
422Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGH4L40T120SWD
Naujas Produktas
|
onsemi
|
IGBT 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
|
|
422Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H050G4YS
- Renesas Electronics
-
1:
8,99 €
-
560Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H050G4YS
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
560Prieinamumas
|
|
|
8,99 €
|
|
|
5,31 €
|
|
|
4,51 €
|
|
|
3,99 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2ED3142MC12LXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,14 €
-
1 464Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2ED3142MC12LXUMA
|
Infineon Technologies
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 464Prieinamumas
|
|
|
2,14 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,13 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2ED3143MC12LXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,14 €
-
1 110Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2ED3143MC12LXUMA
|
Infineon Technologies
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 110Prieinamumas
|
|
|
2,14 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2ED3144MC12LXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,14 €
-
1 474Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2ED3144MC12LXUMA
|
Infineon Technologies
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 474Prieinamumas
|
|
|
2,14 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2ED3145MC12LXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,14 €
-
1 893Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2ED3145MC12LXUMA
|
Infineon Technologies
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 893Prieinamumas
|
|
|
2,14 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,23 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,13 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
21,15 €
-
281Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMZA75R016M1HXK
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
281Prieinamumas
|
|
|
21,15 €
|
|
|
13,91 €
|
|
|
12,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZH120R020M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
18,53 €
-
23Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-04-15
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMZH120R020M1TX
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
23Prieinamumas
240Tikėtina 2027-04-15
|
|
|
18,53 €
|
|
|
12,77 €
|
|
|
11,50 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
21,54 €
-
830Prieinamumas
-
1 920Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMYH200R050M1HXK
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
|
|
830Prieinamumas
1 920Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
830 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-10-08
1 440 Tikėtina 2026-10-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,91 €
-
797Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMYH200R075M1HXK
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
|
|
797Prieinamumas
|
|
|
17,91 €
|
|
|
11,23 €
|
|
|
10,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- IPZA60R037CM8XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,69 €
-
532Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-17
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPZA60R037CM8XKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
|
|
532Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-17
|
|
|
8,69 €
|
|
|
5,62 €
|
|
|
4,77 €
|
|
|
4,76 €
|
|
|
4,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
- TW015Z65C,S1F
- Toshiba
-
1:
14,81 €
-
142Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TW015Z65CS1F
|
Toshiba
|
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
|
|
142Prieinamumas
|
|
|
14,81 €
|
|
|
12,69 €
|
|
|
12,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
- UG4SC075006K4S
- onsemi
-
1:
30,96 €
-
165Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UG4SC075006K4S
|
onsemi
|
JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
|
|
165Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
- AFGH4L25T120RW
- onsemi
-
1:
7,10 €
-
420Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGH4L25T120RW
|
onsemi
|
IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
|
|
420Prieinamumas
|
|
|
7,10 €
|
|
|
4,83 €
|
|
|
3,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
- AFGH4L25T120RWD
- onsemi
-
1:
8,13 €
-
445Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGH4L25T120RWD
|
onsemi
|
IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
|
|
445Prieinamumas
|
|
|
8,13 €
|
|
|
5,58 €
|
|
|
4,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
