TO-247-3 Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 2 153
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET 2 603Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 2 908Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 1 469Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 5 278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 600V 16A N-CH MOSFET 760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 1KV 4.3A N-CH MOSFET 924Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 214Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 25A 100V 125W NPN 1 923Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 120

Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 696Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC SCHOTTKY diodai 650V 16A Gen6 503Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC SCHOTTKY diodai 650V 20A Gen6 470Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


Wolfspeed SiC SCHOTTKY diodai SiC, Schottky Diode, 50A, 650V, TO-247-3, Industrial 235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a 598Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 220Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 78Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package Vykdymo Laikas 40 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package 104Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1


Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 486Prieinamumas
480Tikėtina 2026-09-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 162Prieinamumas
240Tikėtina 2026-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 7Prieinamumas
7 200Tikėtina 2026-12-24
Min.: 1
Daugkart.: 1