|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SCHOTTKY RECTIFIER
- STPS80170CW
- STMicroelectronics
-
1:
5,87 €
-
11 855Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STPS80170CW
|
STMicroelectronics
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SCHOTTKY RECTIFIER
|
|
11 855Prieinamumas
|
|
|
5,87 €
|
|
|
3,70 €
|
|
|
2,83 €
|
|
|
2,38 €
|
|
|
2,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
- STW88N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
14,84 €
-
4 235Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STW88N65M5
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
|
|
4 235Prieinamumas
|
|
|
14,84 €
|
|
|
9,16 €
|
|
|
8,44 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET, FRFET
- FCH041N60F
- onsemi
-
1:
10,56 €
-
2 813Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FCH041N60F
|
onsemi
|
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET, FRFET
|
|
2 813Prieinamumas
|
|
|
10,56 €
|
|
|
6,36 €
|
|
|
5,99 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
|
|
|
|
|
MOSFETs 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
- FCH072N60F
- onsemi
-
1:
9,98 €
-
7 654Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FCH072N60F
|
onsemi
|
MOSFETs 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
|
|
7 654Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 90
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
- IDW30G120C5BFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,66 €
-
4 945Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDW30G120C5BFKSA
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
|
|
4 945Prieinamumas
|
|
|
10,66 €
|
|
|
6,53 €
|
|
|
5,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDW30G65C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,80 €
-
5 716Prieinamumas
-
1 680Tikėtina 2026-09-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDW30G65C5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
5 716Prieinamumas
1 680Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
9,80 €
|
|
|
5,86 €
|
|
|
5,59 €
|
|
|
5,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT INDUSTRY
- IKW40N120CS6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,45 €
-
5 712Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-11-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IKW40N120CS6XKSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT INDUSTRY
|
|
5 712Prieinamumas
720Tikėtina 2026-11-19
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- IPW60R037P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,23 €
-
6 658Prieinamumas
-
6 240Tikėtina 2026-08-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R037P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
|
|
6 658Prieinamumas
6 240Tikėtina 2026-08-20
|
|
|
9,23 €
|
|
|
5,46 €
|
|
|
4,64 €
|
|
|
4,54 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- IPW60R180P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,65 €
-
23 007Prieinamumas
-
23 760Tikėtina 2027-04-08
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R180P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
|
|
23 007Prieinamumas
23 760Tikėtina 2027-04-08
|
|
|
3,65 €
|
|
|
2,35 €
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,47 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,36 €
|
|
|
1,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCR 30 Amps 1600V
- CS30-16IO1
- IXYS
-
1:
7,63 €
-
4 370Prieinamumas
-
4 470Tikėtina 2027-01-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-CS30-16IO1
|
IXYS
|
SCR 30 Amps 1600V
|
|
4 370Prieinamumas
4 470Tikėtina 2027-01-18
|
|
|
7,63 €
|
|
|
5,14 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
3,79 €
|
|
|
3,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
- IXFH12N120P
- IXYS
-
1:
18,52 €
-
1 349Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-11-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFH12N120P
|
IXYS
|
MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
|
|
1 349Prieinamumas
720Tikėtina 2026-11-24
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 500V 30A
- IXFH30N50P
- IXYS
-
1:
10,57 €
-
3 719Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFH30N50P
|
IXYS
|
MOSFETs 500V 30A
|
|
3 719Prieinamumas
|
|
|
10,57 €
|
|
|
7,46 €
|
|
|
6,35 €
|
|
|
5,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
- IXFH320N10T2
- IXYS
-
1:
17,36 €
-
5 101Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFH320N10T2
|
IXYS
|
MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
|
|
5 101Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
- IXTH1N450HV
- IXYS
-
1:
44,35 €
-
500Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTH1N450HV
|
IXYS
|
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
|
|
500Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
- IXTH200N10T
- IXYS
-
1:
10,16 €
-
2 811Prieinamumas
-
180Tikėtina 2026-10-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTH200N10T
|
IXYS
|
MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
|
|
2 811Prieinamumas
180Tikėtina 2026-10-19
|
|
|
10,16 €
|
|
|
6,24 €
|
|
|
5,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
- IXTH75N10L2
- IXYS
-
1:
18,05 €
-
1 899Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTH75N10L2
|
IXYS
|
MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
|
|
1 899Prieinamumas
|
|
|
18,05 €
|
|
|
11,33 €
|
|
|
10,44 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
- IXTX200N10L2
- IXYS
-
1:
35,24 €
-
1 792Prieinamumas
-
1 890Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTX200N10L2
|
IXYS
|
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
|
|
1 792Prieinamumas
1 890Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 792 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
300 Tikėtina 2026-08-13
1 590 Tikėtina 2026-09-02
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
19 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
- TK040N65Z,S1F
- Toshiba
-
1:
10,74 €
-
2 017Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TK040N65ZS1F
|
Toshiba
|
MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
|
|
2 017Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
- IRFP264PBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
6,04 €
-
5 519Prieinamumas
-
3 500Tikėtina 2026-08-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
844-IRFP264PBF
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
|
|
5 519Prieinamumas
3 500Tikėtina 2026-08-13
|
|
|
6,04 €
|
|
|
3,51 €
|
|
|
2,89 €
|
|
|
2,59 €
|
|
|
2,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 20MW 1200V
- NTHL020N120SC1
- onsemi
-
1:
31,98 €
-
646Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL020N120SC1
|
onsemi
|
SiC MOSFET 20MW 1200V
|
|
646Prieinamumas
|
|
|
31,98 €
|
|
|
23,63 €
|
|
|
23,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
- IRFP2907PBF
- Infineon Technologies
-
1:
5,07 €
-
6 873Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
942-IRFP2907PBF
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
|
|
6 873Prieinamumas
|
|
|
5,07 €
|
|
|
2,72 €
|
|
|
2,34 €
|
|
|
2,06 €
|
|
|
1,97 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
- DGTD120T25S1PT
- Diodes Incorporated
-
1:
7,82 €
-
395Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DGTD120T25S1PT
Netinkama eksploatuoti
|
Diodes Incorporated
|
IGBT IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
|
|
395Prieinamumas
|
|
|
7,82 €
|
|
|
5,36 €
|
|
|
5,04 €
|
|
|
4,28 €
|
|
|
4,04 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT NGW40T65H3DHP/SOT429/TO247-3L
- NGW40T65H3DHPQ
- Nexperia
-
1:
3,81 €
-
238Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NGW40T65H3DHPQ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
IGBT NGW40T65H3DHP/SOT429/TO247-3L
|
|
238Prieinamumas
|
|
|
3,81 €
|
|
|
2,51 €
|
|
|
2,51 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
1,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
30
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
- GP2T040A120U
- SemiQ
-
1:
14,33 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T040A120U
|
SemiQ
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
|
|
22Prieinamumas
|
|
|
14,33 €
|
|
|
10,91 €
|
|
|
9,09 €
|
|
|
8,10 €
|
|
|
7,57 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,10 €
-
308Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW95R130PFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
|
|
308Prieinamumas
|
|
|
6,10 €
|
|
|
3,78 €
|
|
|
3,17 €
|
|
|
2,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
