Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BL100B1LIT
Price: 3.77 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

870-WVH8M8BL100B1LIT

Mfr. #:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Gam.:

ISSI

Aprašymas:

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Duomenų Lapas:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ISSI
Gaminio kategorija:	DRAM
RoHS:
Tipas:	HyperRAM
Pakuotė / Korpusas:	FBGA-24
Serija:	IS66WVH8M8BLL
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	ISSI
Jautrus drėgmei:	Yes
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Gaminio tipas:	DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Memory & Data Storage
Prekinis pavadinimas:	HyperRAM

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Taivanas

Šalis gali keistis siuntimo metu.

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.

ATRINKTI PRODUKTAI

ISSI

LPDDR4 & LPDDR4X Mobile SDRAM

Low-voltage memory devices, available in 2Gb, 4Gb, and 8Gb densities, ideal for mobile applications.

Sužinokite Daugiau

DDR4 DRAM

High-speed DRAM devices internally organized with an eight-bank setup.

Sužinokite Daugiau

DDR3 SDRAM

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

Sužinokite Daugiau

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Sužinokite Daugiau

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 2500 Užsakoma po 2500

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	3,77 €	9 425,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Pakuotė:

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

5,76 €

Min.:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Gam.: ISSI

Aprašymas: DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ATRINKTI PRODUKTAI ISSI

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Alternatyvi pakuotė

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

ISSI

Aprašymas:

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

ATRINKTI PRODUKTAI

ISSI