HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Rezultatai: 719
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs 500V 80A
Duomenų Lapas
388Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
906Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Duomenų Lapas
321Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Duomenų Lapas
502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Duomenų Lapas
49Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 14A
Duomenų Lapas
130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Duomenų Lapas
592Tikėtina 2026-09-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Duomenų Lapas
116Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 14A
Duomenų Lapas
172Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Duomenų Lapas
165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 40V
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 42A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
124Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 850V 8A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Duomenų Lapas
191Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 300 Amps 40V
Duomenų Lapas
286Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 5 Amps 1000V
Duomenų Lapas
319Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Duomenų Lapas
224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
170Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
Duomenų Lapas
237Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 26A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
315Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube