GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
RDS On - Drain-Source Varža
Darbinis Dažnis
Gain
Išvesties Galia
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
90Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro RD MOSFET tranzistoriai 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Low Noise pHEMT Devices
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Low Noise pHEMT Devices
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 10
: 10

GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk