D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

Rezultatai: 34
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Duomenų Lapas
21 506Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Duomenų Lapas
3 648Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-channel MOSFET
Duomenų Lapas
313Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Duomenų Lapas
839Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Duomenų Lapas
1 706Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Duomenų Lapas
3 648Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Duomenų Lapas
681Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Duomenų Lapas
377Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Duomenų Lapas
6 932Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Duomenų Lapas
757Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
Duomenų Lapas
277Prieinamumas
300Tikėtina 2027-01-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
Duomenų Lapas
507Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
Duomenų Lapas
871Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs 6Amps 1000V
Duomenų Lapas
318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Duomenų Lapas
475Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Duomenų Lapas
1 750Prieinamumas
100Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Duomenų Lapas
1 041Prieinamumas
250Tikėtina 2026-11-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Duomenų Lapas
792Prieinamumas
450Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 8mAmps 1000V
Duomenų Lapas
4 395Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
3 050Tikėtina 2026-11-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
400Tikėtina 2026-12-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Duomenų Lapas
253Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Duomenų Lapas
310Prieinamumas
300Tikėtina 2026-08-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube