CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
281Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
720Tikėtina 2026-08-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel