{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 8

Taikyti filtrai:

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Pakuotė / Korpusas	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Serija	Pakavimas
MOSFET moduliai 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H06MT23GB2 GeneSiC Semiconductor 48: 285,21 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H06MT23GB2 „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H06MT23GB2 Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	285,21 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		2.3 kV	296 A				N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H06MT23GB2-T GeneSiC Semiconductor 48: 292,09 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H06MT23GB2-T „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H06MT23GB2-T Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	292,09 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 413,56 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H08MT23GB4 „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H08MT23GB4 Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	413,56 €	Min.: 48 Daugkart.: 48	SiCPAK G+	2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H08MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 420,44 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H08MT23GB4-T „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H08MT23GB4-T Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	420,44 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4 G4H11MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 287,69 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H11MT23GB4 „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H11MT23GB4 Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	287,69 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T G4H11MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 294,57 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H11MT23GB4-T „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H11MT23GB4-T Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	294,57 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4 G4H22MT33GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 399,57 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H22MT33GB4 „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H22MT33GB4 Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	399,57 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET moduliai 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T G4H22MT33GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 406,45 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. G4H22MT33GB4-T „Mouser“ Dalies Nr. 905-G4H22MT33GB4-T Naujas Produktas	GeneSiC Semiconductor	MOSFET moduliai 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Sužinokite Daugiau apie GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių	406,45 €	Min.: 48 Daugkart.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Taikyti filtrai: