QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Rezultatai: 34
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FET DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 5
Daugkart.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

NI-650 N-Channel