SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
2 763Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
496Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
1 757Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
1 718Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC
Duomenų Lapas
978Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
855Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
Duomenų Lapas
369Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
Duomenų Lapas
766Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement