SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 496Prieinamumas
Pjaunama Juosta
33,04 €
26,34 €
25,36 €
Ritė
25,36 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC 978Prieinamumas
Pjaunama Juosta
31,56 €
25,12 €
24,00 €
Ritė
24,00 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2 763Prieinamumas
Pjaunama Juosta
11,40 €
6,63 €
6,55 €
6,15 €
Ritė
6,15 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1 757Prieinamumas
Pjaunama Juosta
16,99 €
11,17 €
10,57 €
Ritė
10,57 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1 719Prieinamumas
Pjaunama Juosta
10,61 €
6,52 €
6,28 €
Ritė
6,28 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855Prieinamumas
Pjaunama Juosta
14,07 €
8,72 €
8,31 €
8,09 €
Ritė
8,09 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766Prieinamumas
Pjaunama Juosta
14,56 €
9,39 €
8,89 €
Ritė
8,71 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 369Prieinamumas
Pjaunama Juosta
18,19 €
12,01 €
11,14 €
Ritė
11,14 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement