750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Rezultatai: 23
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Duomenų Lapas
2 004Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
1 946Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
Duomenų Lapas
641Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Duomenų Lapas
624Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC
Duomenų Lapas
900Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC
Duomenų Lapas
1 990Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC
Duomenų Lapas
1 944Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC
Duomenų Lapas
490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Duomenų Lapas
439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Duomenų Lapas
410Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC
Duomenų Lapas
970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Duomenų Lapas
440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Duomenų Lapas
1 439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC
Duomenų Lapas
242Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-10-26
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Duomenų Lapas
133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-09-29
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
Duomenų Lapas
450Tikėtina 2027-01-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement