IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R083M1HXKS
IMZA65R083M1HXKSA1

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Eksploatacijos Laikotarpis:
NRND:
Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Pakavimas: Tube
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis: 240
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IMZA65R083M1H SP005423798
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Austrija
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Austrija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
7,70 € 7,70 €
5,29 € 52,90 €
4,26 € 426,00 €
3,48 € 1 670,40 €

Panašus Produktas

Infineon Technologies IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Naujas Produktas: Naujiena iš šio gamintojo.
Palyginti su esama dalimi

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.