Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1111.08 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

772-QPD1016L

Mfr. #:

QPD1016L

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET DC-1.7GHz,500W,50V,GaNRFTr

Duomenų Lapas:

QPD1016L Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Qorvo QPD1016L

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Qorvo
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	NI-780
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1 A
Pd - skaidos galia:	714 W
Didžiausias darbinis dažnis:	1.7 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	0 Hz
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	Qorvo
Gain:	18 dB
Didžiausia santakos vartų įtampa:	50 V
Jautrus drėgmei:	Yes
Išvesties Galia:	537 W
Pakavimas:	Waffle
Gaminio tipas:	GaN FETs
Serija:	QPD1016L
Gamyklinės pakuotės kiekis:	25
Subkategorija:	Transistors

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

QPD1016L Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

QPD1016L GaN RF Transistor

Qorvo QPD1016L GaN RF Transistor is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.

ATRINKTI PRODUKTAI

QORVO

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Sužinokite Daugiau

QPD1014A GaN Input Matched Transistors

15W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Sužinokite Daugiau

QPD1011A GaN Input Matched Transistors

7W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Sužinokite Daugiau

QPD1004A GaN Input Matched Transistors

25W, 50Ω input matched discrete GaN on SiC HEMT operates from 30MHz to 1400MHz on a 50V supply rail.

Sužinokite Daugiau

QPD1035 GaN RF Power Transistors

40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 25 Užsakoma po 25

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 111,08 €	27 777,00 €

QPD1016L

Gam.: Qorvo

Aprašymas: GaN FET DC-1.7GHz,500W,50V,GaNRFTr

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

QPD1016L GaN RF Transistor

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI QORVO

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET DC-1.7GHz,500W,50V,GaNRFTr

ATRINKTI PRODUKTAI

QORVO