EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Tipas
Technologijos
Serija
Pakavimas
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EASY
Duomenų Lapas
48Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Duomenų Lapas
146Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
Duomenų Lapas
35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray