„Incoterms“:DDP Visos kainos nurodytos su pasirinktų siuntimo metodų muito mokesčiais.
Patvirtinkite pasirinktą valiutą:
Eurai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija 75 € (EUR).
JAV doleriai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija $90 (USD).
Vaizdai skirti tik iliustracijai Žr. produkto specifikacijas
Bendrinti Šį
Šiuo metu nuorodos sukurti nepavyko. Pabandykite dar kartą.
IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs
Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.