E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Rezultatai: 39
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
682Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 497Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
4 778Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
9 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
1 023Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
217Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 038Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
277Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 500
Daugkart.: 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel