700V CoolGaN™ G4 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 Power Transistors are enhancement-mode GaN-on-Si power transistors with properties that allow for high-current, high-voltage breakdown, and high-switching frequency. The GaN systems innovate with industry-leading advancements like patented Island Technology® cell layout which realizes high-current die and high yield. These 700V CoolGaN power transistors enable ultra-power density designs and high system efficiency in power switching. The GS-065 power transistors are housed in the bottom-side cooled PDFN package. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance, making them ideal for demanding high-power applications. Some of the applications include data center and computing solutions, power adapters, LED lighting drivers, Switched Mode Power Supplies (SMPS), wireless power transfer, and motor drives.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Kanalas Mode Didžiausias darbinis dažnis Minimalus darbinis dažnis Technologijos
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 214Prieinamumas
Pjaunama Juosta
8,82 €
4,90 €
4,11 €
Ritė
4,11 €
3,91 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 155Prieinamumas
Pjaunama Juosta
4,99 €
4,13 €
2,21 €
Ritė
2,21 €
1,90 €
1,84 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 88Prieinamumas
Pjaunama Juosta
5,36 €
2,83 €
2,38 €
Ritė
2,38 €
2,33 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Pjaunama Juosta
3,13 €
1,58 €
1,26 €
Ritė
1,26 €
1,10 €
1,08 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Pjaunama Juosta
4,33 €
3,87 €
1,96 €
Ritė
1,96 €
1,95 €
1,90 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Pjaunama Juosta
5,25 €
2,87 €
2,43 €
Ritė
2,43 €
2,38 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Pjaunama Juosta
6,52 €
3,50 €
2,90 €
Ritė
2,90 €
2,61 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si