{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET delivers lower capacitance and higher system efficiency. The GP2T080A120H features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode. The GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. Furthermore, the GP2T080A120H s easy to parallel and offers a lower Qg. The device is ideal for solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 2

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Qg – vartų krūvis

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode
	SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET GP2T080A120J SemiQ 1: 7,08 € 6Prieinamumas	Gam. dalies Nr. GP2T080A120J „Mouser“ Dalies Nr. 148-GP2T080A120J	SemiQ	SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET Sužinokite Daugiau apie SemiQ gp2t080a120h mosfet	Duomenų Lapas	6Prieinamumas	7,08 € 4,99 € 4,02 € 3,58 € 3,17 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	35 A	77 mOhms	- 10 V, + 25 V	4 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement
	SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L GP2T080A120H SemiQ 1: 7,11 € 2 130Tikėtina 2026-12-07	Gam. dalies Nr. GP2T080A120H „Mouser“ Dalies Nr. 148-GP2T080A120H	SemiQ	SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L Sužinokite Daugiau apie SemiQ gp2t080a120h mosfet	Duomenų Lapas	2 130Tikėtina 2026-12-07	7,11 € 5,01 € 4,04 € 3,59 € 3,18 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	35 A	77 mOhms	- 10 V, + 25 V	4 V	61 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement

GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba