X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 651Prieinamumas
Pjaunama Juosta
77,71 €
64,76 €
62,14 €
Ritė
62,14 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250
MACOM RF Stiprintuvas 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
238Prieinamumas
1 176,82 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM RF Stiprintuvas GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
1 525,30 €
Min.: 1
Daugkart.: 1