Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 92
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
IXYS MOSFETs 260 Amps 55V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS MOSFETs Trench T2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 40V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 160 Amps 40V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 200 Amps 55V 0.0042 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 35 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs Trench T2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3