{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 12

Taikyti filtrai:

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Technologijos
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 3,35 € 4 511Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGLR65R140D2XUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLR65R140D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	4 511Prieinamumas	Pjaunama Juosta 3,35 € 1,70 € 1,54 € 1,26 € 1,21 € Ritė 1,07 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2,47 € 4 815Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGLR65R200D2XUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLR65R200D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	4 815Prieinamumas	Pjaunama Juosta 2,47 € 1,22 € 1,10 € 0,886 € Peržiūrėti Ritė 0,703 € 0,851 € 0,836 € 0,703 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2,15 € 4 699Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGLR65R270D2XUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLR65R270D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	4 699Prieinamumas	Pjaunama Juosta 2,15 € 1,05 € 0,894 € 0,746 € Ritė 0,586 € Peržiūrėti 0,702 € 0,684 € 0,582 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 9,20 € 1 547Prieinamumas 1 800Tikėtina 2026-12-17	Gam. dalies Nr. IGLT65R035D2ATMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLT65R035D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	1 547Prieinamumas 1 800Tikėtina 2026-12-17	Pjaunama Juosta 9,20 € 5,11 € 4,85 € 4,12 € Ritė 4,12 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 6,80 € 798Prieinamumas 1 800Tikėtina 2026-12-07	Gam. dalies Nr. IGLT65R045D2ATMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLT65R045D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	798Prieinamumas 1 800Tikėtina 2026-12-07	Pjaunama Juosta 6,80 € 4,01 € 3,68 € 3,59 € 3,07 € Ritė 3,07 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,29 € 1 163Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGLT65R110D2ATMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLT65R110D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	1 163Prieinamumas	Pjaunama Juosta 4,29 € 2,51 € 2,10 € 1,76 € 1,63 € Ritė 1,38 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 11,54 € 556Prieinamumas 800Tikėtina 2026-12-07	Gam. dalies Nr. IGOT65R025D2AUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGOT65R025D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	556Prieinamumas 800Tikėtina 2026-12-07	Pjaunama Juosta 11,54 € 7,69 € 7,12 € 6,17 € Ritė 5,38 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 9,49 € 453Prieinamumas 800Tikėtina 2026-11-30	Gam. dalies Nr. IGOT65R035D2AUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGOT65R035D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	453Prieinamumas 800Tikėtina 2026-11-30	Pjaunama Juosta 9,49 € 5,28 € 5,04 € 4,28 € Ritė 4,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 7,59 € 1 228Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGOT65R045D2AUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGOT65R045D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	1 228Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,59 € 4,14 € 3,71 € Ritė 3,28 € 3,20 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 6,34 € 573Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IGOT65R055D2AUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGOT65R055D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	573Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,34 € 3,40 € 3,11 € 2,51 € Ritė 2,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 10,97 € 23 329Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IGLT65R025D2AUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLT65R025D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	23 329Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IGLT65R025D2AUMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 3 529 Tikėtina 2026-11-26 19 800 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 18 Savaičių	Pjaunama Juosta 10,97 € 6,20 € 6,11 € 5,19 € Ritė 5,19 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 6,29 € 5 400Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IGLT65R055D2ATMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IGLT65R055D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Duomenų Lapas	5 400Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IGLT65R055D2ATMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 3 600 Tikėtina 2026-12-24 1 800 Tikėtina 2027-04-23 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 26 Savaičių	Pjaunama Juosta 6,29 € 3,48 € 3,19 € 3,01 € 2,42 € Ritė 2,42 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Taikyti filtrai: