650V & 1200V 3rd Gen Silicon Carbide MOSFETs

Toshiba 650V and 1200V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs are designed for high-power industrial applications like 400V and 800V AC input AC-DC power supplies, photovoltaic (PV) inverters, and bi-directional DC-DC converters for uninterruptible power supplies (UPS). These Toshiba MOSFETs make significant contributions to reducing power consumption and improving power density due to SiC technology. This technology allows for higher voltages, faster switching, and lower on-resistance. The design offers enhanced reliability in addition to low input capacitance, common gate-input charge, and a drain-to-source on-resistance as low as 15mΩ.

Rezultatai: 24
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Duomenų Lapas
2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Duomenų Lapas
2 480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Duomenų Lapas
2 493Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Duomenų Lapas
2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Duomenų Lapas
142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
30Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
60Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Duomenų Lapas
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Duomenų Lapas
52Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Duomenų Lapas
36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Duomenų Lapas
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Duomenų Lapas
31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Duomenų Lapas
47Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Duomenų Lapas
67Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Duomenų Lapas
111Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Duomenų Lapas
176Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement