U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Rezultatai: 43
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET 3 968Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 63Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET 1 219Prieinamumas
27 000Tikėtina 2026-09-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.6 A 247 mOhms, 430 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 300 mV, 350 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V 230Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-09-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 145 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 2 240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V 1 825Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-01-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V 11 082Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package 212Prieinamumas
12 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET 6 316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA 3.6 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package 2 711Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 213 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V 8Prieinamumas
33 000Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V, 30 V 500 mA 120 mOhms, 210 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET 2-in-1
58 870Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA, 500 mA 460 mOhms, 950 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 1.23 nC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET
30 000Tikėtina 2027-01-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET
16 423Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
3 000Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 87 mOhms, 87 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 7.5 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.9 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape