SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
360°
+ 4 vaizdų
IMW120R014M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
26,02 €
1 149 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R014M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1 149 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
13,45 €
370 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
370 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
11,93 €
617 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R045M1HXT
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
617 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
5,42 €
368 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
368 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZA120R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
12,56 €
947 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R040M1HXK
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
947 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
11,01 €
723 Prieinamumas
"Mouser Naujiena"
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK
"Mouser Naujiena"
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
723 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
48,03 €
385 Prieinamumas
240 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R007M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
385 Prieinamumas
240 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,95 €
1 054 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R090M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1 054 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,22 €
3 851 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R220M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
3 851 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
9,86 €
855 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
855 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
8,39 €
960 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
960 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZA120R014M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
28,61 €
810 Prieinamumas
480 Tikėtina 2026-11-13
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R014M1HXK
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
810 Prieinamumas
480 Tikėtina 2026-11-13
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
IMZA120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
16,68 €
563 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R030M1HXK
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
563 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs
Si
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
21,47 €
313 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R020M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
313 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
12,16 €
10 Prieinamumas
2 640 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R040M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
10 Prieinamumas
2 640 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
10 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
960 Tikėtina 2026-11-19
1 680 Tikėtina 2027-02-04
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
9,53 €
472 Prieinamumas
720 Tikėtina 2026-10-20
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R060M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
472 Prieinamumas
720 Tikėtina 2026-10-20
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,12 €
43 Prieinamumas
960 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R350M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
43 Prieinamumas
960 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
43 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2026-12-03
240 Tikėtina 2026-12-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,03 €
22 Prieinamumas
2 160 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
22 Prieinamumas
2 160 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
22 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
960 Tikėtina 2027-03-25
1 200 Tikėtina 2027-04-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,15 €
179 Prieinamumas
240 Tikėtina 2026-12-10
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R350M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
179 Prieinamumas
240 Tikėtina 2026-12-10
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
15,94 €
1 660 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1 660 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
48,43 €
1 865 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R007M1HXK
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1 865 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Pagal užsakymą:
425 Tikėtina 2026-11-26
720 Tikėtina 2027-02-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 240
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZA120R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
20,47 €
2 877 Tikėtina 2026-12-20
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R020M1HXK
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2 877 Tikėtina 2026-12-20
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,12 €
978 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Pagal užsakymą:
18 Tikėtina 2026-11-05
480 Tikėtina 2027-10-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel